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Electron-beam incident-angle- resolved cathodoluminescence studies on bulk ZnO crystals
Onuma, T., Yamaguchi, T., Honda, T. John Wiley & Sons, Ltd 2013 Physica Status Solidi C Vol.10 No.5
Cross-sectional spatially resolved cathodoluminescence study of cubic GaN films grown by metalorganic vapor phase epitaxy on free-standing (001) 3C-SiC and GaAs substrates
Onuma, T., Nozaka, T., Yamaguchi, H., Suzuki, T., Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 Journal of crystal growth Vol.298 No.-
Correlation between blue luminescence intensity and resistivity in beta -Ga~2O~3 single crystals (3 pages)
Onuma, T., Fujioka, S., Yamaguchi, T., Higashiwaki AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2013 Applied Physics Letters Vol.103 No.4
Absolute reliability of adipose tissue volume measurement by computed tomography: application of low-dose scan and minimal detectable change—a phantom study
Onuma, T., Kamishima, T., Sasaki, T., Sakata, M. Springer Science + Business Media 2015 RADIOLOGICAL PHYSICS AND TECHNOLOGY Vol.8 No.2
Polarized Raman spectra in beta -Ga~2O~3 single crystals
Onuma, T., Fujioka, S., Yamaguchi, T., Itoh, Y., H Amsterdam; Elsevier 2014 Journal of crystal growth Vol.401 No.-
Cathodoluminescence spectra of Ga-In-O polycrystalline films fabricated by molecular precursor method
Onuma, T., Yasuno, T., Takano, S., Goto, R., Fujio Tokyo; Japan Society of Applied Physics 2014 Japanese Journal of Applied Physics Vol.53 No.5S1
Comparative study of surface recombination in hexagonal GaN and ZnO surfaces (7 pages)
Onuma, T., Sakai, N., Igaki, T., Yamaguchi, T., Ya AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2012 Journal of Applied Physics Vol.112 No.6
Influence of internal electric field on the recombination dynamics of localized excitons in an InGaN double-quantum-well laser diode wafer operated at 450 nm
T. Onuma, S. F. Chichibu, T. Aoyama, K. Nakajima, Institute of Pure and Applied Physics 2003 Japanese Journal of Applied Physics Vol.42 No.12
Influence of Internal Electric Field on the Recombination Dynamics of Localized Excitons in an InGaN Double-Quantum-Well Laser Diode Wafer Operated at 450 nm
Onuma, T., Chichibu, S. F., Aoyama, T., Nakajima, Japanese Journal of Applied Physics; 1999 2003 Japanese Journal of Applied Physics Vol.42 No.586
RANGE AND STANDARD-DEVIATION OF ION-IMPLANTED SI IN GAAS
T. Onuma, T. Hirao, T. Sugawa American Institute of Physics 1981 Journal of Applied Physics Vol.52 No.10
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