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A 90nm 12ns 32Mb 2T1MTJ MRAM
Nebashi, R., Sakimura, N., Honjo, H., Saito, S., I New York; Curran 2009 DIGEST OF TECHNICAL PAPERS OF THE SOLID STATE CIRC Vol.2009 No.-
Analysis of single-event upset of magnetic tunnel junction used in spintronic circuits caused by radiation-induced current
Sakimura, N., Nebashi, R., Natsui, M., Ohno, H., S American Institute of Physics 2014 Journal of Applied Physics Vol.115 No.17
Growth and characterization of ^2^8Si~n/^3^0Si~n isotope superlattices
Kojima, T., Nebashi, R., Itoh, K. M., Shiraki, Y. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2003 Applied Physics Letters Vol.83 No.12
Analysis of single-event upset of magnetic tunnel junction used in spintronic circuits caused by radiation-induced current (3 pages)
Sakimura, N., Nebashi, R., Natsui, M., Ohno, H., S AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2014 Journal of Applied Physics Vol.115 No.17
Toggle magnetic random access memory cells scalable to a capacity of over 100 megabits (8 pages)
Fukumoto, Y., Nebashi, R., Mukai, T., Tsuji, K., S AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2008 Journal of Applied Physics Vol.103 No.1
Evaluation of Soft-Delay-Error Effects in Content-Addressable Memory
N. Onizawa, N. Sakimura, R. Nebashi, T. Sugibayash unknown 2016 JOURNAL OF MULTIPLE VALUED LOGIC AND SOFT COMPUTIN Vol.26 No.1-2
Attitudinal and affective response toward accented English
Bresnahan, M. J., Ohashi, R., Nebashi, R., Liu, W. PERGAMON 2002 Language & communication Vol.22 No.2
Magnetic tunneling junction with Fe/NiFeB free layer for magnetic logic circuits (3 pages)
Honjo, H., Fukami, S., Nebashi, R., Ishiwata, N., AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2012 Journal of Applied Physics Vol.111 No.7
Nonvolatile Magnetic Flip-Flop for Standby-Power-Free SoCs
Sakimura, N., Sugibayashi, T., Nebashi, R., Kasai, IEEE; 1998 2009 IEEE journal of solid-state circuits Vol.44 No.8
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