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Development of epitaxial growth technology for Ge"1"-"xSn"x alloy and study of its properties for Ge nanoelectronics
Nakatsuka, O., Shimura, Y., Takeuchi, W., Taoka, N Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 Solid-State Electronics Vol.83 No.-
Low-temperature formation of epitaxial NiSi
O. Nakatsuka, K. Okubo, Y. Tsuchiya, A. Sakai, S. Institute of Pure and Applied Physics 2005 Japanese Journal of Applied Physics Vol.44 No.5A
Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structures of Epitaxial NiSi~2/Si Schottky Contacts Formed from Ni/Ti/Si System
Nakatsuka, O., Suzuki, A., Akimoto, S., Sakai, A. Tokyo; The Japan Society of Applied Physics 2007 Solid state devices and materials Vol.- No.-
Dependence of Electrical Characteristics on Interfacial Structure of Epitaxial NiSi~2/Si Schottky Contacts Formed from Ni
Nakatsuka, O., Suzuki, A., Akimoto, S., Sakai, A. JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS 2008 Applied Physics Express Vol.47 No.4
Low-Temperature Formation of Epitaxial NiSi~2 Layers with Solid-Phase Reaction in Ni/Ti
Nakatsuka, O., Okubo, K., Tsuchiya, Y., Sakai, A. Japanese Journal of Applied Physics; 1999 2005 Japanese Journal of Applied Physics Vol.44 No.5A
CoAl Ohmic Contact Materials with Improved Surface Morphology for p-Type 4H-SiC
Nakatsuka, O., Koide, Y., Murakami, M. Transtec Publications; 1999 2002 Materials Science Forum Vol.389-393 No.2
Growth and Characterization of Ge~1~-~xSn~x Layers for High Mobility Tensile-Strained Ge Channels of CMOS Devices
Nakatsuka, O., Shimura, Y., Takeuchi, S., Tsutsui, Transtec Publications; 1999 2010 Materials Science Forum Vol.654-656 No.2
Dependence of electrical characteristics on interfacial structure of epitaxial NiSi
O. Nakatsuka, A. Suzuki, S. Akimoto, A. Sakai, M. Institute of Pure and Applied Physics 2008 Japanese Journal of Applied Physics Vol.47 No.4
Formation and crystalline structure of Ni silicides on Si(110) substrate
Nakatsuka, O., Hasegawa, M., Kato, K., Taoka, N., JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS 2014 Japanese Journal of Applied Physics Vol.53 No.5S2
Mobility Behavior of Ge~1~-~xSn~x Layers Grown on Silicon-on-Insulator Substrates (4 pages)
Nakatsuka, O., Tsutsui, N., Shimura, Y., Takeuchi, JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS 2010 Japanese Journal of Applied Physics Vol.49 No.4/1
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