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Meneghesso, G. AMERICAN TECHNICAL PUBLISHERS LTD 1996 INTERNATIONAL SYMPOSIUM FOR TESTING AND FAILURE AN Vol.- No.-
Hot electron stress degradation in unpassivated GaN/AlGaN
Meneghesso, G., Pierobon, R., Rampazzo, F., Tamiaz IEEE; 1999 2005 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS PROCEEDINGS Vol.43 No.-
Hot electron stress degradation in unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs on SiC
Meneghesso, G., Pierobon, R., Rampazzo, F., Tamiaz IEEE 2005 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM P Vol.43 No.-
Surface-Related Drain Current Dispersion Effects in AlGaN-GaN HEMTs
Meneghesso, G., Verzellesi, G., Pierobon, R., Ramp IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2004 IEEE transactions on electron devices Vol.51 No.10
DC, low frequency and RF drift in AlGaAs/InGaAs PM-HEMTs biased in high field and high power dissipation regime
Meneghesso, G.,Crosato, C.,Garat, F.,Martines, G. Microwave Engineering Europe 1998 GAAS -CONFERENCE PROCEEDINGS- Vol.10 No.-
Pulsed Measurements and Circuit Modeling of Weak and Strong Avalanche Effects in GaAs MESFETs and HEMTs
Meneghesso, G., Chini, A., Maretto, M., Zanoni, E. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2003 IEEE transactions on electron devices Vol.50 No.2
Analysis of Hot Carrier Transport in AIGaAs/InGaAs Pseudomorphic HEMT's by Means of Electroluminescence
Meneghesso, G. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2000 IEEE transactions on electron devices Vol.47 No.1
On-State and Off-State Breakdown in GaInAs/InP Composite-Channel HEMT's with Variable GaInAs Channel Thickness
Meneghesso, G. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1999 IEEE transactions on electron devices Vol.46 No.1
On-State and Off-State Breakdown in GaInAs/InP Composite-Channel HEMT's with Variable GaInAs
Meneghesso, Gaudenzio Institute of Electrical and Electronics Engineers 1999 IEEE transactions on electron devices Vol.46 No.1
Current Collapse and High-Electric-Field Reliability of Unpassivated GaN/AlGaN
Meneghesso, G., Rampazzo, F., Kordos, P., Verzelle IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2006 IEEE transactions on electron devices Vol.53 No.12
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