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Numerical Modeling of Noise and Transport in SOI Devices
Meinerzhagen, B., Pham, A., Hong, S., Jungemann, C Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2011 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.219 No.3
Meinerzhagen, B., Pham, A., Hong, S., Jungemann, C Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2011 ECS Transactions Vol.35 No.5
The influence of the thermal equilibrium approximation on the accuracy of classical two-dimensional numerical modeling of silicon submicrometer MOS transistors
Meinerzhagen, B., Engl, W.L. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1988 IEEE transactions on electron devices Vol.35 No.5
Numerical simulation of strained Si/SiGe devices: the hierarchical approach
Meinerzhagen, B., Jungemann, C., Neinhus, B., Bart Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 Applied Surface Science Vol.224 No.1-4
Meinerzhagen, B.,Jungemann, C.,Neinhus, B.,Bartels Elsevier 2004 Applied Surface Science Vol.224 No.1-4
Predictive and Efficient Modeling of Substrate Currents in N-channel MOS-Transistors
Meinerzhagen, B., Jungemann, C., Decker, S., Keith IEEE 1997 INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY SYSTEMS Vol.6 No.-
A New Highly Efficient Nonlinear Relaxation Scheme for Hydrodynamic MOS Simulations
Meinerzhagen, B., Bach, K. H., Bork, I., Engl, W. IEEE 1992 NUPAD -WORKSHOP- Vol.- No.4
Simulation of SiGe Devices Based on a Hierarchy of Numerical Models
Meinerzhagen, B. Technische Universitat Ilmenau 1998 Internationales Wissenschaftliches Kolloquium Vol.- No.432
Meinerzhagen, B. Technische Universitat Ilmenau 1998 Internationales Wissenschaftliches Kolloquium Vol.43 No.2
Noise behavior of a PNP- and NPN-type SiGe HBT: a simulation study [5844-14]
Neinhus, B., Jungemann, C., Meinerzhagen, B. International Society for Optical Engineering; 1999 2005 Progress in Biomedical Optics and Imaging Vol.5844 No.-
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