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Some Electronic and Metastability Properties of a New Nanostructured Material - Hydrogenated Polymorphous Silicon
Butte-R,Meaudre-R,Meaudre-M,Vignoli-S,Longeaud-C,K unknown 1999 Philosophical Magazine B Vol.79 No.7
Metastable Effects Induced by Thermal Quenching in Undoped Amorphous-Silicon
Meaudre-M,Jensen-P,Meaudre-R unknown 1991 Philosophical Magazine B Vol.63 No.4
Metastable Defect Creation and Annealing Under Illumination in Intrinsic Hydrogenated Amorphous-Silicon Deposited from Helium Silane Mixtures
Vignoli-S,Meaudre-R,Meaudre-M unknown 1996 Philosophical Magazine B Vol.73 No.2
Structural properties and recombination processes in hydrogenated polymorphous silicon
Meaudre, R., Butte, R., Vignoli, S., Meaudre, M., EDP SCIENCES 2003 EPJ APPLIED PHYSICS Vol.22 No.3
Distribution of the midgap density of states and their capture cross-sections in hydrogenated amorphous silicon deduced from space-charge-limited conduction in the dark and under illumination
Meaudre, R., Meaudre, M. TAYLOR & FRANCIS LTD 2005 Philosophical magazine letters Vol.85 No.4
Relaxation of electrons following trapping in the space-charge-limited conduction regime of n^+-i-n^+ hydrogenated amorphous silicon structures
Meaudre, R., Meaudre, M. TAYLOR & FRANCIS LTD 2002 Philosophical magazine letters Vol.82 No.5
Influence of metastable dangling bonds and donors on the D.c. conductivity of hydrogenated amorphous silicon
R. Meaudre, M. Meaudre North-Holland 1987 Journal of non-crystalline solids Vol.97-98 No.2
Absence of thermal quenching effects in undoped amorphous silicon deposited by the pecvd of he - diluted silane
R. Meaudre, M. Meaudre, p. Roca i cabarrocas, S. T North-Holland 1991 Journal of non-crystalline solids Vol.137-138 No.1
Thermal Quenching and Relaxation in Doped Hydrogenated Amorphous Silicon Deposited by Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition from He-Diluted Silane
Meaudre, R.,Meaudre, M.,Cabarrocas, P. Rocai American Institute of Physics 1993 Applied Physics Letters Vol.62 No.6
Method for the determination of the capture cross sections of electrons from space-charge-limited conduction in the dark and under illumination in amorphous semiconductors
Meaudre, R., Meaudre, M. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2004 Applied Physics Letters Vol.85 No.2
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