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III-V nanowires by self-assembly MOVPE technology for novel and efficient opto-electronic and photovoltaic devices (Invited Paper) [8268-25]
Lovergine, N., Prete, P. International Society for Optical Engineering; 1999 2012 Proceedings of SPIE, the International Society for Vol.8268 No.-
Lattice strain relaxation of ZnS layers grown by vapour-phase epitaxy on (100)GaAs
Lovergine, N. ELSEVIER 1994 Materials Science and Engineering B Vol.28 No.1-3
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Lovergine, F. P. SPRINGER VERLAG KG 1998 Lecture Notes in Computer Science Vol.- No.1401
Lovergine, N. VCH VERLAGSGESELLSCHAFT 1998 Crystal research and technology Vol.33 No.2
Hydrogen Transport Vapor Phase Epitaxy of CdTe on Hybrid Substrates for X-Ray Detector Applications
Lovergine, N. MINERALS METALS & MATERIALS SOCIETY 1999 Journal of Electronic Materials Vol.28 No.6
Microscopical Study of Au Nanocrystals Self-Assembled on (100)Si and SiO2/(100)Si Substrates
Lovergine, N., Paiano, P., Piscopiello, E., Prete, Warrendale, Penn; Materials Research Society 2006 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.947-988 No.-
Development of a homoepitaxial technology for fabrication of X- and g-ray detectors based on CdTe p-i-n diodes
Lovergine, N., Traversa, M., Paiano, P., Farella, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 Nuclear Physics B. Proceedings Supplements Vol.166 No.-
Low levels of estrogen receptor-beta protein predict resistance to tamoxifen
Lovergine, S., Masciullo, V. TAYLOR AND FRANCIS 2005 WOMEN'S ONCOLOGY REVIEW Vol.5 No.1
Determination of Surface Lattice Strain in ZnTe Epilayers on [100] GaAs by Ion Channeling and Reflectance Spectroscopy
Lovergine, N.,Chingolani, R.,Leo, G. American Institute of Physics 1993 Applied Physics Letters Vol.63 No.25
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