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Characterization of kesterite thin films fabricated by rapid thermal processing of stacked elemental layers using spatially resolved cathodoluminescence
Kunecke, U., Hetzner, C., Mockel, S., Yoo, H., Hoc Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2015 Thin Solid Films Vol.582 No.-
Scanning electron microscopical examination of the impact of laser patterning on microscopic inhomogeneities of Cu(In,Ga)(Se,S)2 absorbers produced by rapid thermal processing
Kunecke, U., Holzing, A., Jost, S., Lechner, R., V Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 Thin Solid Films Vol.535 No.-
Influence of dislocation content on the quantitative determination of the doping level distribution in n-GaAs using absorption mapping
Kunecke, U., Wellmann, P. J. EDP SCIENCES 2006 EPJ APPLIED PHYSICS Vol.34 No.3
Aluminum P-Type Doping of Bulk SiC Single Crystals by Tri-Methyl-Aluminum
Hens, P., Kunecke, U., Wellmann, P.J. Stafa-Zurich; United Kingdom; Trans Tech Publications 2008 Materials Science Forum Vol.600-603 No.-
High Al-Doping of SiC Using a Modified PVT (M-PVT) Growth Set-Up
Muller, R., Kunecke, U., Weingartner, R., Schmitt, Transtec Publications; 1999 2005 Materials Science Forum Vol.483-485 No.-
MODELLING OF RAFTING AND ITS INFLUENCE IN NI-BASE SUPERALLOYS
Fedelich, B., Kunecke, G., Epishin, A. Julich; Forschungszentrum Julich GmbH 2006 Forschungszentrum Juelich Schriften Reihe Energiet Vol.53 No.1
Constitutive modelling of creep degradation due to rafting in single-crystalline Ni-base superalloys
Fedelich, B., Kunecke, G., Epishin, A., Link, T., Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2009 Materials Science and Engineering A Vol.510-511 No.1
Growth of Silicon Carbide Bulk Crystals with a Modified Physical Vapor Transport Technique
Muller, R., Kunecke, U., Queren, D., Sakwe, S. A. John Wiley & Sons, Ltd 2006 CHEMICAL VAPOR DEPOSITION -WEINHEIM- Vol.12 No.8-9
Fedelich, B., Kunecke, G., Epishin, A., Link, T., Elsevier 2009 Materials Science and Engineering A Vol.510-511 No.-
Investigation of the charge carrier concentration in highly aluminum doped SiC using Raman scattering
Muller, R., Kunecke, U., Thuaire, A., Mermoux, M. Wiley-VCH 2006 Physica Status Solidi C Vol.3 No.3
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