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Publisher's Note: The Effect of Silicon Oxide Based RRAM with Tin Doping [Electrochem. Solid-State Lett., 15, H65 (2012)]
Kuan-Chang Chang, Tsung-Ming Tsai, Ting-Chang Chan ELECTROCHEMICAL SOCIETY INC 2012 ECS Solid State Letters Vol.1 No.2
Resistance random access memory
Chang, Ting-Chang, Chang, Kuan-Chang, Tsai, Tsung- Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2016 MATERIALS TODAY -OXFORD- Vol.19 No.5
Retraction notice to "Improvement Mechanism of resistance random access memory with supercritical CO2 fluid treatment" [J. Supercrit. Fluids, Volume 85, January 2014, Pages 183–189]
Chang, Kuan-Chang, Chen, Jung-Hui, Tsai, Tsung-Min Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2021 The Journal of supercritical fluids Vol.178 No.-
Hopping effect of hydrogen-doped silicon oxide insert RRAM by supercritical CO
Chang, Kuan-Chang, Chu, Tian-Jian, Chen, Jian-Yu, IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2013 IEEE electron device letters Vol.34 No.5
Effects of erbium doping of indium tin oxide electrode in resistive random access memory
Chen, Po-Hsun, Chang, Kuan-Chang, Chang, Ting-C JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS 2016 Applied Physics Express Vol.9 No.3
Reducing operation voltages by introducing a low-k switching layer in indium—tin-oxide-based resistance random access memory
Jin, Fu-Yuan, Chang, Kuan-Chang, Chang, Ting-Ch JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS 2016 Applied Physics Express Vol.9 No.6
Unveiling the influence of surrounding materials and realization of multi-level storage in resistive switching memory
Chang, Kuan-Chang, Dai, Tianjiao, Li, Lei, Lin, Xi Royal Society of Chemistry 2020 Nanoscale Vol.12 No.43
Monolayer Multijunctions: Synthesis of In‐Plane Artificial Lattices of Monolayer Multijunctions (Adv. Mater. 7/2018)
Kuan‐Chang Chiu wiley 2018 Advanced Materials Vol.30 No.7
Origin of Hopping Conduction in Graphene-Oxide-Doped Silicon Oxide Resistance Random Access Memory Devices
Kuan-Chang, C., Rui, Z., Ting-Chang, C., Tsung-Min IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2013 IEEE electron device letters Vol.34 No.5
Exploration of Physicochemical Mechanism for Negative Bias Temperature Instability in GaN‐HEMTs by Extracting Activation Energy of Dislocations
Chang, Kuan‐Chang, Wang, Zhengda, Zhou, Qian, Zhan John Wiley & Sons 2022 Advanced Materials Interfaces Vol.9 No.24
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