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Microwave frequency operation of the heterostructure hot-electron diode
Kolodzey, J.,Laskar, J.,Higman, T. K.,Emanuel, M. IEEE 1988 IEEE electron device letters Vol.9 No.6
Characterization of aerosol-containing chemical simulant clouds using a sensitive, thermal infrared imaging spectrometer [8018-42]
Hall, J.L., D Amico, F.M., Kolodzey, S.J., Qian, J International Society for Optical Engineering; 1999 2011 Proceedings of SPIE, the International Society for Vol.8018 No.-
Frequency response of sub-micrometre pseudomorphic AlGaAs/InGaAs
J. Laskar, J. Kolodzey, A. Ketterson, S. Caracci, Elsevier 1990 Cryogenics Vol.30 No.12
FREQUENCY-RESPONSE OF SUBMICROMETER PSEUDOMORPHIC ALGAAS INGAAS GAAS MODFETS AT CRYOGENIC TEMPERATURES
J. Laskar, J. Kolodzey, A. Ketterson, S. Caracci, Pergamon 1990 Cryogenics Vol.30 No.12
Electrical Conduction and Dielectric Breakdown in Aluminum Oxide Insulators on Silicon
Kolodzey, J. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2000 IEEE transactions on electron devices Vol.47 No.1
Terahertz emitters based on intracenter transitions in semiconductors (Invited Paper) [8846-13]
Kolodzey, J., Gupta, J.P. International Society for Optical Engineering; 1999 2013 Proceedings of SPIE, the International Society for Vol.8846 No.-
Erratum
Kolodzey, J.,O'Neil, P. A.,Zhang, S. American Institute of Physics 1996 Applied Physics Letters Vol.68 No.8
The Effects of Composition and Doping on the Response of GeC-Si Photodiodes
Kolodzey, J. IEEE LASERS AND ELECTRO-OPTICS SOCIETY 1998 IEEE journal of selected topics in quantum electro Vol.4 No.6
Transport properties of α-Si; Ge:H alloys prepared from SiF4; GeF4 and H2 in R.F. or D.c. Glow discharges
J. Kolodzey, D. Slobodin, S. Aljishi, S. Quinlan, North-Holland 1985 Journal of non-crystalline solids Vol.77-78 No.2
BIPOLAR TUNNELING FIELD-EFFECT TRANSISTOR - A 3-TERMINAL NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE DEVICE FOR HIGH-SPEED APPLICATIONS
J. P. Leburton, J. Kolodzey, S. Briggs American Institute of Physics 1988 Applied Physics Letters Vol.52 No.19
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