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Kimoto, Tsunenobu.,Itoh, Akira.,Matsunami, Hiroyuk American Institute of Physics 1995 Applied Physics Letters Vol.67 No.16
Performance Limiting Surface Defects in SiC Epitaxial p-n Junction Diodes
Kimoto, Tsunenobu Institute of Electrical and Electronics Engineers 1999 IEEE transactions on electron devices Vol.46 No.3
Bulk and epitaxial growth of silicon carbide
Kimoto, Tsunenobu Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2016 PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF Vol.62 No.2
Defect engineering in SiC technology for high-voltage power devices
Kimoto, Tsunenobu, Watanabe, Heiji JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS 2020 Applied Physics Express Vol.13 No.12
Step Bunching in Chemical Vapor Deposition of 6H- and 4H-SiC on Vicinal SiC(0001) Faces
Kimoto, Tsunenobu,Itoh, Akira,Matsunami, Hiroyuki American Institute of Physics 1995 Applied Physics Letters Vol.66 No.26
Updated trade-off relationship between specific on-resistance and breakdown voltage in 4H-SiC0001 unipolar devices
Kimoto, Tsunenobu IOP Publishing 2019 Japanese Journal of Applied Physics Vol.58 No.1
(Invited) Progress in Process Technologies for SiC Power Devices
Kimoto, Tsunenobu Electrochemical Society 2016 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.2016 No.229
High performance of high-voltage 4H-SiC schottky barrier diodes
Itoh, Akira,Kimoto, Tsunenobu,Matsunami, Hiroyuki Institute of Electrical and Electronics Engineers 1995 IEEE electron device letters Vol.16 No.6
A comparative study on electrical characteristics of 1-kV pnp and npn SiC bipolar junction transistors
Okuda, Takafumi, Kimoto, Tsunenobu, Suda, Jun IOP Publishing 2018 Japanese Journal of Applied Physics Vol.57 No.4S_S
Improvement of Both n- and p-Channel Mobilities in 4H-SiC MOSFETs by High-Temperature N₂ Annealing
Tachiki, Keita, Kimoto, Tsunenobu IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2021 IEEE transactions on electron devices Vol.68 No.2
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