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Charge Trapping Characteristics of W-La~2O~3-nSi MIS Capacitors After Post-Metallization Annealing PMA in N2
Molina, J., Tachi, K., Kakushima, K., Ahmet, P., T Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2006 ECS Transactions Vol.3 No.3
Interfacial Dipole Measurement of Dielectric/Silicon Interface by X-ray Photoelectron Spectroscopy
Kakushima, K., Okamoto, K., Tachi, K., Sato, S., S New York; Electrochemical Society 2008 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.214 No.5
Improvement of Interface Properties of W/La2O3/Si MOS Structure Using Al Capping Layer
Tachi, K., Kakushima, K., Ahmet, P., Tsutsui, K., Electrochemical Society 2007 ECS Transactions Vol.11 No.4
Effect of Oxygen for Ultra-Thin La~2O~3 Film Deposition
Tachi, K., Kakushima, K., Ahemt, P., Tsutsuii, K. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2006 ECS Transactions Vol.3 No.3
Advantage of further scaling in gate dielectrics below 0.5nm of equivalent oxide thickness with La2O3 gate dielectrics
Kakushima, K., Tachi, K., Ahmet, P., Tsutsui, K., Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 Microelectronics and reliability Vol.50 No.6
Origin of flat band voltage shift in HfO2 gate dielectric with La2O3 insertion
Kakushima, K., Okamoto, K., Adachi, M., Tachi, K. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2008 Solid-State Electronics Vol.52 No.9
Electrical Properties of CeOX/La2O3 Stack as a Gate Dielectric for Advanced MOSFET Technology
Kouda, M., Tachi, K., Kakushima, K., Ahmet, P., Ts Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2008 ECS Transactions Vol.16 No.5
Electrical Characteristics of Metal/High-k MOS Devices Using Effective Oxygen Control for Sub- 1nm EOT
Okamoto, K., Kakushima, K., Ahmet, P., Tsutsui, K. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2008 ECS Transactions Vol.16 No.5
Impact of Thin La~2O~3 Insertion for HfO~2 MOSFET
Kakushima, K., Okamoto, K., Adachi, M., Tachi, K. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2008 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.213 No.2
Band bending measurement of HfO2/SiO2
Kakushima, K., Okamoto, K., Adachi, M., Tachi, K. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2008 Applied Surface Science Vol.254 No.19
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