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P. J. J. Wessels, J. F. Jongste, G. Janssen, A. L. American Institute of Physics 1988 Journal of Applied Physics Vol.63 No.10
Mechanical reliability of CVD-copper thin films
Jongste, J. F. unknown 1997 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.33 No.1-4
Loss of titanium during formation of self-aligned titanium silicide
J.F. Jongste, F.E. Prins, G.C.A.M. Janssen north-Holland 1989 Materials Letters Vol.8 No.8
High pressure aluminium for sub-micron vias using a liquid transducer
Jongste, J. F. DIVISION DE LA SOCIETE FRANCAISE DU VIDE 1997 VIDE -PARIS- Vol.53 No.283//SUP
High-Pressure Aluminum Via-Fill for ULSI Interconnect Using a Liquid Transducer
Jongste, J. F., Li, X., Lokker, J. P., Janssen, G. MRS 1996 ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE IN Vol.- No.-
ELASTIC-CONSTANTS AND THERMAL-EXPANSION COEFFICIENT OF METASTABLE C49 TISI2
J. F. Jongste, O. B. Loopstra, G. Janssen, S. Rade American Institute of Physics 1993 Journal of Applied Physics Vol.73 No.6
DEFORMATION OF SI(100) WAFERS DURING RAPID THERMAL ANNEALING
J. F. Jongste, T. G. M. Oosterlaken, G. C. J. Bart American Institute of Physics 1994 Journal of Applied Physics Vol.75 No.6
Influence of mixed reductants on the growth rate of WF~6-based W-CVD
Jongste, J. F. ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS 1996 Applied Surface Science Vol.91 No.1-4
High pressure aluminium fur sub-micron vias using a liquid transducer
Jongste, J. F., Li, X., Lokker, J. P., Janssen, G. Elsevier Science 1997 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.37-38 No.-
KINETICS OF THE FORMATION OF C49 TISI2 FROM TI-SI MULTILAYERS AS OBSERVED BY IN-SITU STRESS MEASUREMENTS
J. F. Jongste, P. F. A. Alkemade, G. Janssen, S. R American Institute of Physics 1993 Journal of Applied Physics Vol.74 No.6
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