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Fehr, J.J., Boulet, J.R., Waldrop, W.B., Snider, R Lippincott Williams & Wilkins; 1999 2011 Anesthesiology Vol.115 No.6
Metal Contacts to p-Type GaAs With Large Schottky Barrier Heights
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Negative differential resistance of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors
Waldrop, J. R.,Chang, M. F. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1995 IEEE electron device letters Vol.16 No.1
THE MECHANISM OF SCHOTTKY-BARRIER FORMATION IN POLYACETYLENE
J. R. Waldrop, M. J. Cohen, A. J. Heeger, A. G. Ma American Institute of Physics 1981 Applied Physics Letters Vol.38 No.1
INTERFACE CHEMISTRY OF METAL-GAAS SCHOTTKY-BARRIER CONTACTS
J. R. Waldrop, R. W. Grant American Institute of Physics 1979 Applied Physics Letters Vol.34 No.10
INTERFACE CHEMISTRY AND ELECTRICAL-PROPERTIES OF TUNGSTEN SCHOTTKY-BARRIER CONTACTS TO GAAS
J. R. Waldrop American Institute of Physics 1982 Applied Physics Letters Vol.41 No.4
Measurement of GaAs/InP and InAs/InP Heterojunction Band Offsets by X-Ray Photoemission Spectrscopy
Waldrop, J.R.,Grant, R.W.,Kraut, E.A. American Institute of Physics 1989 Applied Physics Letters Vol.54 No.19
POTENTIAL PROFILING ACROSS SEMICONDUCTOR JUNCTIONS BY AUGER-ELECTRON SPECTROSCOPY IN SCANNING ELECTRON-MICROSCOPE
J. R. Waldrop, J. S. Harris American Institute of Physics 1975 Journal of Applied Physics Vol.46 No.12
Formation and Schottky Barrier Height of Metal Contacts to β-SiC
Waldrop, J. R.,Grant, R. W. American Institute of Physics 1990 Applied Physics Letters Vol.56 No.6
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