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The use of helium ion RBS for profiling epitaxial layers of CdxHg1-xTe
A.J. Avery, D.J. Diskett, D.W. Lane, J. Giess, S.J Elsevier BV 1990 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.45 No.1-4
The potential for abrupt interfaces in CdxHg1-xTe using thermal and photo-MOVPE
S.J.C. Irvine, J. Giess, J.S. Gough, G.W. Blackmor North-Holland Pub. Co 1986 Journal of crystal growth Vol.77 No.1-3
On the electrical properties and Hall effect behaviour of MOVPE CdxHg1-xTe
J.B. Mullin, A. Royle, J. Giess, J.S. Gough, S.J.C North-Holland Pub. Co 1986 Journal of crystal growth Vol.77 No.1-3
Recent developments in the pyrolytic and photolytic deposition of (Cd,Hg)Te and related II-VI materials
S.J.C. Irvine, J.B. Mullin, J. Giess, J.S. Gough, North-Holland Pub. Co 1988 Journal of crystal growth Vol.93 No.1-4
An RBS and chanelling study of epitaxial layers of CdxHg1-xTe
A.J. Avery, D.J. Diskett, J. Giess, S.J.C. Irvine North-Holland Pub. Co 1990 Journal of crystal growth Vol.101 No.1-4
Epitaxial growth of CdxHg1-xTe by photo-MOVPE
S.J.C. Irvine, J. Giess, J.B. Mullin, G.W. Blackmo north-Holland 1985 Materials Letters Vol.3 No.7-8
THE GROWTH OF HIGH-QUALITY CDXHG1-XTE BY MOVPE ONTO GAAS SUBSTRATES
J. Giess, J. S. Gough, S. J. C. Irvine, G. W. Blac North-Holland Pub. Co 1985 Journal of crystal growth Vol.72 No.1-2
ON THE ELECTRICAL-PROPERTIES AND HALL-EFFECT BEHAVIOR OF MOVPE CDXHG1-XTE
J. B. Mullin, A. Royle, J. Giess, J. S. Gough, S. North-Holland Pub. Co 1986 Journal of crystal growth Vol.77 No.1-3
The growth of high quality CdxHg1-xTe by MOVPE onto GaAs substrates
J. Giess, J.S. Gough, S.J.C. Irvine, G.W. Blackmor North-Holland Pub. Co 1985 Journal of crystal growth Vol.72 No.1-2
Recent developments in the MOVPE of II-VI compounds
J.B. Mullin, S.J.C. Irvine, J. Giess, A. Royle North-Holland Pub. Co 1985 Journal of crystal growth Vol.72 No.1-2
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