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Hurkx, F. INSTITUTE OF ELECTRICAL & ELECTRONIC ENGINEERS, INC (IEEE) 1993 Technical digest Vol.- No.-
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Hurkx, F. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1993 IEEE transactions on electron devices Vol.40 No.12
Hurkx, F.,Baltus, P.,Bladt, E.,Knuvers, M. IEEE 1993 Technical digest Vol.12 No.-
(9.2) 4:10 - 4:35 PM - Design and Analyses of Bias Current Circuits for Operation at Output Voltages Above BVCEO
Veenstra, H., Hurkx, F., van Goor, D., Brekelmans, IEEE, 2004 Proceedings of the ... Bipolar/BiCMOS Circuits and Vol.- No.-
A Monte Carlo Technique to Investigate Signal Delays of Advanced Si BJT's up to High Currents
Palestri, P.,Selmi, L.,Hurkx, F.,Slotboom, J. IEEE 2000 INTERNATIONAL CONFERENCE ON SIMULATION OF SEMICOND Vol.- No.-
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Meneghini, M., Rossetto, I., Hurkx, F., Sonsky, J. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2015 IEEE transactions on electron devices Vol.62 No.8
Resistance and Threshold Switching Voltage Drift Behavior in Phase-Change Memory and Their Temperature Dependence at Microsecond Time Scales Studied Using a Micro-Thermal Stage
Kim, S., Lee, B., Asheghi, M., Hurkx, F., Reifenbe IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2011 IEEE transactions on electron devices Vol.58 No.3
Barrier Height Variation in Ni-Based AlGaN/GaN Schottky Diodes
Hajlasz, M., Donkers, J. J., Pandey, S., Hurkx, F. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2017 IEEE transactions on electron devices Vol.64 No.10
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Van Der Wel, W.,Koster, R.,Jansen, S.,Hurkx, F. Editions Frontiers 1995 ESSDERC -CONFERENCE- Vol.25 No.-
Impact of Donor Traps on the 2DEG and Electrical Behavior of AlGaN/GaN MISFETs
Longobardi, G., Udrea, F., Sque, S., Hurkx, G. A. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2014 IEEE electron device letters Vol.35 No.1
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