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Mask-edge effects at low ion implantation energies for cluster covered silicon
Hul'ko, O.V. 00 1999 Physica. B, Condensed matter Vol.266 No.4
Evolution of CoSi2 buried structures created by high temperature Co+ ion implantation into Si(100) during post-implantation annealing
Hul'ko, O., Zinke-Allmang, M. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 Surface science Vol.547 No.1-2
Influence of ion implantation induced defects on formation of buried CoSi2 structures in Si(100)
Hul'ko, O., Fraser, J., Zinke-Allmang, M. ELSEVIER SCIENCE 2002 Thin Solid Films Vol.413 No.1-2
Role of ripening and defects in the formation of mesotaxial cobalt-disilicide layers
Hul`ko, O. ELSEVIER 2001 Ultramicroscopy Vol.86 No.1-2
Ordering of Germanium Clusters During Epitaxy on Patterned Silicon Substrates
HUL'KO, O. Japanese Journal of Applied Physics; 1999 1999 Japanese Journal of Applied Physics Vol.38 No.9A
Self-Organization of Surface Patterns During Clustering
Zinke-Allmang, M.,Hul'ko, O.,Brongersma, S.,Carlow Materials Research Society 1999 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.570 No.-
Chemical and thermal stability of titanium disilicide contacts on silicon
O. V. Hul'ko, R. Boukherroub, G. P. Lopinski American Institute of Physics 2001 Journal of Applied Physics Vol.90 No.3
Effects of growth temperature and arsenic pressure on size distribution and density of InAs quantum dots on Si (001)
Zhao, Z. M., Hul'ko, O., Kim, H. J., Liu, J., Shi, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 Thin Solid Films Vol.483 No.1-2
Growth and characterization of InAs quantum dots on Si(001) substrates
Zhao, Z. M., Hul'ko, O., Kim, H. J., Liu, J., Suga Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 Journal of crystal growth Vol.271 No.3-4
Ge films grown on Si substrates by molecular-beam epitaxy below 450°C
J. Liu, H. J. Kim, O. Hul'ko, Y. H. Xie, S. Sahni American Institute of Physics 2004 Journal of Applied Physics Vol.96 No.1
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