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Horng, Ray-Hua, Lau, Kei May, Kuo, Hao-Chung, T PHOTOENERGY CENTER 2014 INTERNATIONAL JOURNAL OF PHOTOENERGY Vol.2014 No.5
Ion implantation effects on the characteristics of β-Ga2O3 epilayers grown on sapphire by MOCVD
Horng, Ray-Hua Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2022 Ceramics international Vol.48 No.24
Characterization of semi-polar (202¯\documentclass[12pt]{minimal} \usepackage{amsmath} \usepackage{wasysym} \usepackage{amsfonts} \usepackage{amssymb} \usepackage{amsbsy} \usepackage{mathrsfs} \usepackage{upgreek} \setlength{\oddsidemargin}{-69pt} \begin{document}$$\overline{2}$$\end{document}1) InGaN microLEDs
Horng, Ray-Hua Nature Publishing 2020 Scientific Reports Vol.10 No.1
Epitaxial Growth of ZnGa2O4: A New, Deep Ultraviolet Semiconductor Candidate
Horng, Ray-Hua The American Chemical Society 2017 CRYSTAL GROWTH AND DESIGN Vol.17 No.11
Development of Metal Bonding for Passive Matrix Micro-LED Display Applications
Horng, Ray-Hua, Chen, Yi-Fan, Wang, Chi-Han, Chen, IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2021 IEEE electron device letters Vol.42 No.7
Effects of UV-ozone treatment on the performance of deep-ultraviolet photodetectors based on ZnGa2O4 epilayers
Horng, Ray-Hua Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2022 Materials chemistry and physics Vol.292 No.-
Effects of Ga concentration and rapid thermal annealing on the structural, optoelectronic and photoluminescence properties of Ga-doped ZnO thin films
Horng, Ray-Hua, Ou, Sin-Liang, Huang, Chiung-Yi, R Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2016 Thin Solid Films Vol.605 No.-
Effects of Cell Distance on the Performance of GaN High-Voltage Light Emitting Diodes
Ray-Hua Horng, Kun-Ching Shen, Yu-Wei Kuo, Dong-Si ELECTROCHEMICAL SOCIETY INC 2012 ECS Solid State Letters Vol.1 No.5
High-Efficiency and Crack-Free InGaN-Based LEDs on a 6-inch Si (111) Substrate With a Composite Buffer Layer Structure and Quaternary Superlattices Electron-Blocking Layers
Li, Zhen-Yu, Horng, Ray-Hua, Chi, Gou-Chung, Chang IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2014 IEEE journal of quantum electronics Vol.50 No.5
Growth characteristics of Fe-doped GaN epilayers on SiC (001) substrates and their effects on high breakdown voltage devices
Chang, Kai-Ping, Lin, Po-Jung, Horng, Ray-Hua, Wuu Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2020 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING Vol.119 No.-
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