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Hydrogen-Implantation Induced Silicon Surface-Layer Exfoliation
Hochbauer-T,Misra-A,Verda-R,Nastasi-M,Mayer-JW,Zhe unknown 2000 Philosophical Magazine B Vol.80 No.11
Hydrogen Blister Depth in Boron and Hydrogen Coimplanted n-type Silicon
Hochbauer, T.,Nastasi, M.,Mayer, J. W. American Institute of Physics 1999 Applied Physics Letters Vol.75 No.25
Influence of interfaces on the storage of ion-implanted He in multilayered metallic composites (7 pages)
Hochbauer, T., Misra, A., Hattar, K., Hoagland, R. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2005 Journal of Applied Physics Vol.98 No.12
The use of ion channeling and elastic recoil detection in determining the mechanism of cleavage in the ion-cut process
Hochbauer, T.,Nastasi, M.,Verda, R. D.,Misra, A.,H North-Holland 2002 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.190 No.1-4
Hydrogen-implantation induced silicon surface layer exfoliation
Hochbauer, T. TAYLOR & FRANCIS LTD 2000 Philosophical Magazine B Vol.80 No.11
Hochbauer, T., Nastasi, M., Verda, R. D., Misra, A ELSEVIER SCIENCE 2002 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.190 No.1-4
Physical mechanisms behind the ion-cut in hydrogen implanted silicon
Hochbauer, T., Misra, A., Nastasi, M., Mayer, J. W AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2002 Journal of Applied Physics Vol.92 No.5
Comparison of thermally and mechanically induced Si layer transfer in hydrogen-implanted Si wafers
Hochbauer, T., Misra, A., Nastasi, M., Henttinen, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.216 No.-
The influence of ion-implantation damage on hydrogen-induced ion-cut
Hochbauer, T. Elsevier Science; 1999 2001 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.175-177 No.-
Nucleation and growth of platelets in hydrogen-ion-implanted silicon (3 pages)
Nastasi, M., Hochbauer, T., Lee, J.-K., Misra, A. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2005 Applied Physics Letters Vol.86 No.15
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