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Effects of plantar hardness discrimination training on standing postural balance in the elderly: a randomized controlled trial
Hiyamizu, S.M.M., Fukumoto, T., Kataoka, Y., Yagi, SAGE Publications 2009 Clinical rehabilitation Vol.23 No.6
Effects of self-action observation on standing balance learning: A change of brain activity detected using functional near-infrared spectroscopy
Hiyamizu, M., Maeoka, H., Matsuo, A., Morioka, S. IOS Press. Amsterdam 2014 NEUROREHABILITATION Vol.35 No.3
Selectively doped GaAs/N–AlGaAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy for high electron mobility transistor IC applications
Hiyamizu, S.,Saito, J.,Kondo, K.,Yamamoto, T.,Ishi AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1985 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.3 No.2
Summary Abstract: Electrical properties of MBE‐grown GaAs/N–AlGaAs heterostructures and application to high speed devices
Hiyamizu, S.Mimura, T. AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1983 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.1 No.2
P1.068 Ability to monitor and adjust ones walking patterns
Hiyamizu, M., Morioka, S., Matsuo, A., Shomoto, K. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2008 PARKINSONISM AND RELATED DISORDERS Vol.14//SUP1 No.-
Extremely high uniformity of interfaces in GaAs/AlGaAs quantum wells grown on (411)A GaAs substrates by molecular beam epitaxy
Hiyamizu, S.,Shimomura, S.,Wakejima, A.,Kaneko, S. American Institute of Physics 1993 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.12 No.2
Hole mobility enhancement in GaAs/p-Al~0~.~3Ga~0~.~7As QW-HEMT structures with (411)A super-flat interfaces grown by MBE
Hiyamizu, S., Shinohara, K., Kasahara, K., Shimizu Pergamon 1997 PHYSICA E Vol.2 No.1-4
Hiyamizu, S. 00 1994 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.12 No.2
In~0~.~5~3Ga~0~.~4~7As/In~0~.~5~2Al~0~.~4~8As quantum wire structures grown on (775)B-oriented InP substrates by molecular beam epitaxy
Hiyamizu, S.,Ohno, Y.,Shimomura, S. Elsevier 1999 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.47 No.1-4
Super-flat (411)A interfaces and uniformly corrugated (775)B interfaces in GaAs/AlGaAs and InGaAs/InAlAs heterostructures grown by molecular beam epitaxy
Hiyamizu, S., Shimomura, S., Kitada, T. Elsevier Science 1998 Microelectronics Journal Vol.30 No.4-5
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