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(Invited) Developing Periodically Oriented Gallium Nitride for Frequency Conversion
Hite, J. K., Freitas, J. A., Mastro, M. A., Vur The Electrochemical Society 2015 ECS Transactions Vol.2015 No.66
Influence of HVPE substrates on homoepitaxy of GaN grown by MOCVD
Hite, J.K., Anderson, T.J., Luna, L.E., Gallagher, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2018 Journal of crystal growth Vol.498 No.-
Epitaxial Graphene Nucleation on C-Face Silicon Carbide
Hite, J.K., Twigg, M.E., Tedesco, J.L., Friedman, American Chemical Society 2011 NANO LETTERS Vol.11 No.3
Buried graphene electrodes on GaN-based ultra-violet light-emitting diodes (3 pages)
Kim, B.-J., Lee, C., Mastro, M.A., Hite, J.K., Edd AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2012 Applied Physics Letters Vol.101 No.3
Observations on C-Face SiC Graphene Growth in Argon
Gaskill, D.K., Hite, J.K., Culbertson, J.C., Jerni Transtec Publications; 1999 2011 Materials Science Forum Vol.679-680 No.-
Effect of Reduced Extended Defect Density in MOCVD Grown AlGaN/GaN HEMTs on Native GaN Substrates
Anderson, T. J., Tadjer, M. J., Hite, J. K., Green IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2016 IEEE electron device letters Vol.37 No.1
A high-throughput screen for identification of molecular mimics of Smac/DIABLO utilizing a fluorescence polarization assay
Glover, C. J., Hite, K., DeLosh, R., Scudiero, D. Elsevier Science B.V., Amsterdam 2003 Analytical biochemistry Vol.320 No.2
Selective chemical etch of gallium nitride by phosphoric acid
Lee, C., Hite, J.K., Mastro, M.A., Freitas, J.A., American Vacuum Society 2012 Journal of Vacuum Science & Technology. A Vol.30 No.4
Opportunities and Challenges in MOCVD of β-Ga~2O~3 for Power Electronic Devices
Mastro, M. A., Hite, J. K., Eddy, C. R., Tadjer, M WORLD SCIENTIFIC 2020 Selected topics in electronics and systems Vol.63 No.-
Growth of 4H- and 3C-SiC Epitaxial Layers on 4H-SiC Step-Free Mesas
Myers-Ward, R.L., Nyakiti, L.O., Hite, J.K., Glemb Transtec Publications; 1999 2011 Materials Science Forum Vol.679-680 No.-
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