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Plasma stimulated MOCVD of GaAs
H. Heinecke, A. Brauers, H. Luth, P. Balk North-Holland Pub. Co 1986 Journal of crystal growth Vol.77 No.1-3
Doping of GaAs in metalorganic MBE using gaseous sources
H. Heinecke, K. Werner, M. Weyers, H. Luth, P. Bal North-Holland Pub. Co 1987 Journal of crystal growth Vol.81 No.1-4
Growth of high quality InP with metal organic molecular beam epitaxy
H. Heinecke, R. HÖger, B. Baur, A. Miklis [Institution of Electrical Engineers] 1990 Electronics Letters Vol.26 No.3
AUTomotive Open System ARchitecture - An Industry-Wide Initiative to Manage the Complexity of Emerging Automotive E/E-Architectures
Heinecke, H., Schnelle, K.-P., Fennel, H., Bortola SAE, 2004 SAE CONFERENCE PROCEEDINGS P Vol.- No.387
A study of the 26Mg(6Li, 6He)26Al charge exchange reaction
H.H. Duhm, n. Ueta, W. Heinecke, H. Hafner, P.D. K north-Holland Pub. Co 1972 Physics letters. Section B Vol.38 No.5
On the role of Hydrogen in the MOCVD of GaAs
G. Arens, H. Heinecke, N. Putz, H. Luth, P. Balk North-Holland Pub. Co 1986 Journal of crystal growth Vol.76 No.2
Defects in GaAs films grown by MOMBE
K. Werner, H. Heinecke, M. Weyers, H. Luth, P. Bal North-Holland Pub. Co 1987 Journal of crystal growth Vol.81 No.1-4
A comparative study of Ga(CH3)3, Ga(C2H5)3 and Ga(C4H9)3 in the low pressure MOCVD of GaAs
C. Plass, H. Heinecke, O. Kayser, H. Luth, P. Balk North-Holland Pub. Co 1988 Journal of crystal growth Vol.88 No.4
Full gaseous source growth of separate confinement MQW 1.55 mu m laser structures in a production MOMBE
M. Popp, H. Heinecke, H. Baumeister, E. Veuhoff North-Holland Pub. Co 1997 Journal of crystal growth Vol.175 No.-
A comparative study of Ga(CH3)3 and Ga(C2H5)3 in the mombe of GaAs
N. Putz, H. Heinecke, M. Heyen, P. Balk, H. Luth North-Holland Pub. Co 1986 Journal of crystal growth Vol.74 No.2
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