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Grouillet, B., Fabre, J., Ruelland, D., Dezetter, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2015 Journal of hydrology Vol.522 No.-
Sensitivity analysis of runoff modeling to statistical downscaling models in the western Mediterranean
Grouillet, B. EUROPEAN GEOPHYSICAL SOCIETY 2016 HYDROLOGY AND EARTH SYSTEM SCIENCES Vol.20 No.3
Assessing past and future water demands under climate change and anthropogenic pressures on two Mediterranean basins
Grouillet, B., Fabre, J., Ruelland, D., Collet, L. IAHS 2014 IAHS Proceedings and Reports Vol.- No.363
Fabrication of 60 nm Plasma-doped CMOS Transistors
Lenoble, D.,Grouillet, A.,Boeuf, F.,Skotnicki, T. IEEE 2002 ION IMPLANTATION TECHNOLOGY- INTERNATIONAL CONFERE Vol.14 No.-
Applications in Electronic Industry: Microelectronic Industry
Goeltz, G., Grouillet, A. Sci-TechPublications 1992 Diffusion and defect data, solid state data. Solid Vol.30-31 No.-
The fabrication of advanced transistors with plasma doping
Lenoble, D., Grouillet, A. ELSEVIER SCIENCE 2002 Surface & Coatings Technology Vol.156 No.1-3
FR-3 Direct Comparison of Electrical Performance of 0.1 mum pMOSFETs Doped by Plasma Doping or Low Energy Ion Implantation
Lenoble, D.,Grouillet, A.,Arnaud, F.,Haond, M.,Fel IEEE 2000 ION IMPLANTATION TECHNOLOGY- INTERNATIONAL CONFERE Vol.13 No.-
Fabrication of N+/P ultra-shallow junctions by plasma doping for 65 nm CMOS technology
Lallement, F., Grouillet, A., Juhel, M., Reynard, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 Surface & Coatings Technology Vol.186 No.1-2
Ultra-Low Cost and High Performance 65nm CMOS Device Fabricated with Plasma Doping
Lallement, F., Duriez, B., Grouillet, A., Arnaud, unknown 2004 SYMPOSIUM ON VLSI TECHNOLOGY Vol.- No.2004
Investigation of the suitability of spike anneal for advanced CMOS technology
Lenoble, D.,Josse, E.,Grouillet, A.,Arnaud, F.,Jul Frontier Group 2000 ESSDERC -CONFERENCE- Vol.30 No.-
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