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Electrochromic behavior in CVD grown tungsten oxide films
Gogova, D North-Holland Pub. Co 1999 Journal of crystal growth Vol.198 No.2
High-Quality 2" Bulk-Like Free-Standing GaN Grown by Hydride Vapour Phase Epitaxy on a Si-doped Metal Organic Vapour Phase Epitaxial GaN Template with an Ultra Low Dislocation Density
Gogova, D., Larsson, H., Kasic, A., Yazdi, G. R., Japanese Journal of Applied Physics; 1999 2005 Japanese Journal of Applied Physics Vol.44 No.3
Growth and structural, optical and electrical properties study of bulk GaN
Gogova, D., Rudko, G., Siche, D. John Wiley & Sons, Ltd 2012 Physica Status Solidi C Vol.9 No.3-4
A new approach to grow C-doped GaN thick epitaxial layers
Gogova, D., Rudko, G. Y., Siche, D., Albrecht, M. John Wiley & Sons, Ltd 2011 Physica Status Solidi C Vol.8 No.7-8
Homo- and heteroepitaxial growth of Sn-doped b-Ga2O3 layers by MOVPE
Gogova, D., Schmidbauer, M., Kwasniewski, A. Royal Society of Chemistry 2015 CrystEngComm Vol.17 No.35
HVPE GaN substrates: growth and characterization
Gogova, D., Siche, D., Kwasniewski, A., Schmidbaue John Wiley & Sons, Ltd 2010 Physica Status Solidi C Vol.7 No.7-8
Fast growth of high quality GaN
Gogova, D., Larsson, H., Yakimova, R., Zolnai, Z. ACADEMIC VERLAG GMBH 2003 Physica Status Solidi. A Vol.200 No.1
Electrokinetic chromatography with micelles, polymeric and monomeric additives with similar chemical functionality as pseudo-stationary phases
Gogova, K. ELSEVIER SCIENCE BV 2001 Journal of Chromatography A Vol.916 No.1-2
Optical and structural studies of high-quality bulk-like GaN grown by HVPE on a MOVPE AlN buffer layer
Gogova, D., Siche, D., Fornari, R., Monemar, B., G IOP PUBLISHING LTD 2006 Semiconductor science and technology Vol.21 No.5
Structural and Optical Properties of CVD Thin Tungsten Oxide Films
GOGOVA, D. ACADEMIC VERLAG GMBH 1999 Physica Status Solidi. A Vol.176 No.2
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