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High Frequency Charaterization of SOI Dynamic Threshold Voltage MOS(DTMOS) Transistors
Ferlet-cavrois, V.,Bracale, A.,Fel, N.,Musseau, O. unknown 1999 Proceedings Vol.1999 No.-
Total Dose Effects on a Fully-Depleted SOI NMOSFET and Its Lateral Parasitic Transistor
Ferlet-Cavrois, V. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1997 IEEE transactions on electron devices Vol.44 No.6
New Insights Into Single Event Transient Propagation in Chains of Inverters-Evidence for Propagation-Induced Pulse Broadening
Ferlet-Cavrois, V., Paillet, P., McMorrow, D., Fel IEEE; 1999 2007 IEEE transactions on nuclear science Vol.54 No.6
Total Dose Induced Latch in Short Channel NMOS/SOI Transistors
Ferlet-Cavrois, V. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1998 IEEE transactions on nuclear science Vol.45 No.6/1
High-Frequency Performances of a Partially Depleted 0.18-� SOI/CMOS Tecnology at Low Supply Voltage - Influence of Parasitic Elements
Ferlet-Cavrois, V. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1998 IEEE electron device letters Vol.19 No.7
Ferlet-Cavrois, V Professional Technical Group on Nuclear Science 1998 IEEE transactions on nuclear science Vol.45 No.6
Designing MOS/SOI Transistors for High Frequency and Low Voltage Applications
Ferlet-Cavrois, V. ELSEVIER 1999 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.48 No.1-4
Comparison of the Sensitivity to Heavy Ions of SRAM's in Different SIMOX Technologies
Ferlet-Cavrois, V. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1994 IEEE electron device letters Vol.15 No.3
Total Dose Behavior of Partially Depleted SOI Dynamic Threshold Voltage MOS (DTMOS) for Very Low Supply Voltage Applications (0.6 - 1V)
Ferlet-Cavrois, V. IEEE; 1999 2000 IEEE transactions on nuclear science Vol.47 No.3/1
Worst-Case Bias During Total Dose Irradiation of SOI Transisitors
Ferlet-Cavrois, V. IEEE; 1999 2000 IEEE transactions on nuclear science Vol.47 No.6/3
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