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Ezis, A.,Langer, D. W. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1985 IEEE electron device letters Vol.6 No.10
ION IMPLANTED CATHODE DOPING NOTCHES IN GaAs GUNN MATERIAL.
Ezis, A., Morgan, D.V., Howes, M.J. North Holland Pub. Co 1981 Nuclear instruments & methods Vol.182-183 No.2
Ion implanted cathode doping notches in GaAs Gunn material
A high-gain (Ga,Al)As/GaAs heterostructure bipolar transistor with an equilibrium-depleted spike-doped base
Ezis, A.,Liou, L. L.,Ikossi-Anastasiou, K.,Evans, IEEE 1989 IEEE electron device letters Vol.10 No.4
Lateral protrusions of ohmic contacts to AlGaAs/GaAs MODFET material
A. Ezis, A.K. Rai, D.W. Langer [Institution of Electrical Engineers] 1987 Electronics Letters Vol.23 No.3
The dependence of AlGaAs/GaAs MODFET isolation on material and device structure
A. Ezis , D.W. Langer , C.W. Tu Elsevier 1987 Solid-State Electronics Vol.30 No.8
Temperature dependence of transient and conventional annealed AlGaAs/GaAs MODFET ohmic contacts
Ikossi-Anastasiou, K., Ezis, A., Rai, A.K. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 1988 IEEE transactions on electron devices Vol.35 No.11
Low-temperature characterization of high-current-gain graded-emitter AlGaAs/GaAs narrow-base heterojunction bipolar transistor
Ikossi-Anastasiou, K.,Ezis, A.,Evans, K. R.Stutz, IEEE 1992 IEEE electron device letters Vol.13 No.8
Simulation of the RF performance of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors: application of fast Fourier transform
L.L. Liou, A. Ezis, K. Ikossi-Anastasiou, C.I. Hua [Institution of Electrical Engineers] 1991 Electronics Letters Vol.27 No.6
Structure and lateral diffusion of ohmic contacts in AlGaAs/GaAs high electron mobility transistors and GaAs devices
Langer, Dietrich W.,Ezis, A.Rai, A. K. AVS: Science & Technology of Materials, Interfaces, and Processing 1987 Journal of Vacuum Science & Technology. B Vol.5 No.4
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