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Advanced CMOS protection device trigger mechanism during CDM
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B3. ESD Design Wants a CDM Current Target, While ESD Control Uses CDM Voltage - What is the Right Approach to Specify CDM Robustness?
Duvvury, C. unknown 2011 ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMP Vol.2011 No.-
The state-of-the-art of ESD from the design, simulation, and the advanced technology points of view
Duvvury, C. Communication Technology Laboratory, Swiss Federal Institute of Technology 1999 ELECTROMAGNETIC COMPATIBILITY -SYMPOSIUM AND TECHN Vol.13 No.2
38.1 ESD and Latchup Reliability for Nanometer CMOS Technologies (Invited)
Duvvury, C., Boselli, G. IEEE; 1998 2004 Technical digest Vol.2004 No.-
4A.4 Sampling Pin Approaches for ESD Test Applications
Duvvury, C., Dobson, J., Ward, S., Gauthier, R., G unknown 2012 ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMP Vol.2012 No.-
Duvvury, C., Dobson, J., Ward, S., Gauthier, R., G Rome; ESD Association 2012 ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMP Vol.- No.-
ESD protection: design and layout issues for VLSI circuits
Duvvury, C., et al. IEEE 1989 IEEE transactions on industry applications Vol.25 No.1
A guide to short-channel effects in MOSFETs
Duvvury, Charvaka IEEE 2012 IEEE circuits and devices magazine Vol.2 No.6
Comments on "Source-and-drain series resistance of LDD MOSFET's"
Duvvury, C.,Baglee, D. A. G.,Duane, M. P. Institute of Electrical and Electronics Engineers 1984 IEEE electron device letters Vol.5 No.12
A1. Realistic Perspective on CDM Requirements From IC Design Challenges and Production Control Methods
Duvvury, C. unknown 2009 ELECTRICAL OVERSTRESS ELECTROSTATIC DISCHARGE SYMP Vol.31 No.-
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