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Cowern, N. E. B American Physical Society 1999 Physical Review Letters Vol.82 No.22
A Physics-Based Model for Transient Diffusion of Dopants in Si
Cowern, N. E. B. IEEE 1993 INTERNATIONAL WORKSHOP ON VLSI PROCESS AND DEVICE Vol.5 No.-
Analytical Description for the Diffusion and Recombination of Point Defects in Silicon
Cowern, N.E.B. American Institute of Physics 1989 Applied Physics Letters Vol.54 No.15
39.1 Understanding, Modeling and Optimizing Vacancy Engineering for Stable Highly Boron-Doped Ultrashallow Junctions
Cowern, N. E. B., Smith, A. J., Colombeau, B., Gwi IEEE; 1998 2005 Technical digest Vol.- No.-
Interstitial Traps and Diffusion in Epitaxial Silicon Films
Cowern, N. E. B. American Institute of Physics 1994 Applied Physics Letters Vol.64 No.20
Role of C and B Clusters in Transient Diffusion of B in Silicon
Cowern, N. E. B.,Cacciato, A.,Custer, J. S. American Institute of Physics 1996 Applied Physics Letters Vol.68 No.8
Projected range distributions of low-, intermediate-, and high-energy ions
Cowern, N.E.B. North-Holland Pub. Co 1983 Nuclear instruments & methods in physics research Vol.206 No.3
Mechanisms of implant Damage Annealing and Transient Enhanced Diffusion In Si
Cowern, N. E. B.,Van De Balle, G. F. A.,Zalm, P. C American Institute of Physics 1994 Applied Physics Letters Vol.65 No.23
Comment on "Diffusion of n-type dopants in germanium" [Appl. Phys. Rev. 1, 011301 (2014)]
Cowern, N. E. B., Simdyankin, S., Goss, J. P., Nap American Institute of Phyics 2015 Applied physics reviews Vol.2 No.3
Cowern, N. E. B., Smith, A. J., Colombeau, B., Gwi Institute of Electrical and Electronics Engineers 2005 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING Vol.2005 No.-
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