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Spatial distribution, build-up, and annealing of radiation defects in silicon implanted by high-energy krypton and xenon ions
Chelyadinskii, A. R. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1998 Physics of the solid state Vol.40 No.9
Model of the pair phosphorus atom-interstitial silicon atom
Chelyadinskii, A. R. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 1998 Physics of the solid state Vol.40 No.11
Defect-impurity engineering in implanted silicon
Chelyadinskii, A. R., Komarov, F. F. Russian Academy of Sciences; 1999 2003 Physics - Uspekhi Vol.46 No.8
Diffusion of Ion-Implanted Phosphorus in Silicon
Chelyadinskii, A. R. ACADEMIC VERLAG GMBH 1994 Physica Status Solidi. A Vol.142 No.2
Influence of radiation defects on diffusion of arsenic and antimony in implanted silicon
Jadan, M., Chelyadinskii, A. R., Yavid, V. Y. Springer Science + Business Media 2012 RUSSIAN MICROELECTRONICS C/C OF MIKROELEKTRONIKA Vol.41 No.2
Localization of carbon atoms and extended defects in silicon implanted separately with C+ and B+ ions and jointly with C+ and B+ ions
Jadan, M., Chelyadinskii, A. R., Odzhaev, V. B. Springer Science + Business Media 2013 Physics of the solid state Vol.55 No.2
Model of High-Temperature Diffusion of Interstitial Silicon Atoms in Silicon
Jadan, M., Chelyadinskii, A.R., Yavid, V.Y. Science Publications 2009 AMERICAN JOURNAL OF APPLIED SCIENCES Vol.6 No.6
Efficiency of formation of radiation defects in silicon upon implantation of silicon and phosphorus ions
Jadan, M., Chelyadinskii, A. R., Yavid, V. Y. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.225 No.4
Getter formation in silicon by implantation of antimony ions
Sadovskii, P. K., Chelyadinskii, A. R., Odzhaev, V Springer Science + Business Media 2013 Physics of the solid state Vol.55 No.6
On the problem of Watkins substitution and migration of silicon atoms in silicon
N.I. Berezhnov, A.R. Chelyadinskii, M. Jadan, Yu.R Elsevier BV 1993 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.73 No.3
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