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Exploration of Physicochemical Mechanism for Negative Bias Temperature Instability in GaN‐HEMTs by Extracting Activation Energy of Dislocations
Chang, Kuan‐Chang, Wang, Zhengda, Zhou, Qian, Zhan John Wiley & Sons 2022 Advanced Materials Interfaces Vol.9 No.24
Origin of Hopping Conduction in Graphene-Oxide-Doped Silicon Oxide Resistance Random Access Memory Devices
Kuan-Chang, C., Rui, Z., Ting-Chang, C., Tsung-Min IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2013 IEEE electron device letters Vol.34 No.5
Retraction notice to "Improvement Mechanism of resistance random access memory with supercritical CO2 fluid treatment" [J. Supercrit. Fluids, Volume 85, January 2014, Pages 183–189]
Chang, Kuan-Chang, Chen, Jung-Hui, Tsai, Tsung-Min Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2021 The Journal of supercritical fluids Vol.178 No.-
Hopping effect of hydrogen-doped silicon oxide insert RRAM by supercritical CO
Chang, Kuan-Chang, Chu, Tian-Jian, Chen, Jian-Yu, IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2013 IEEE electron device letters Vol.34 No.5
Hopping Effect of Hydrogen-Doped Silicon Oxide Insert RRAM by Supercritical Formula Not Shown Fluid Treatment
Kuan-Chang, C., Chih-Hung, P., Ting-Chang, C., Tsu IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2013 IEEE electron device letters Vol.34 No.5
Low-temperature supercritical dehydroxylation for achieving an ultra-low subthreshold swing of thin-film transistors
Chang, Kuan-Chang, Hu, Luodan, Qi, Kang, Li, Lei, Royal Society of Chemistry 2021 Nanoscale Vol.13 No.11
Resistance random access memory
Chang, Ting-Chang, Chang, Kuan-Chang, Tsai, Tsung- Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2016 MATERIALS TODAY -OXFORD- Vol.19 No.5
Publisher's Note: The Effect of Silicon Oxide Based RRAM with Tin Doping [Electrochem. Solid-State Lett., 15, H65 (2012)]
Kuan-Chang Chang, Tsung-Ming Tsai, Ting-Chang Chan ELECTROCHEMICAL SOCIETY INC 2012 ECS Solid State Letters Vol.1 No.2
The observation of Gaussian distribution and origination identification of deep defects in AlGaN/GaN MIS-HEMT
Chang, Kuan-Chang, Dai, Tianjiao, Wang, Zhengda, H American Institute of Physics 2022 Applied Physics Letters Vol.120 No.17
Unveiling the influence of surrounding materials and realization of multi-level storage in resistive switching memory
Chang, Kuan-Chang, Dai, Tianjiao, Li, Lei, Lin, Xi Royal Society of Chemistry 2020 Nanoscale Vol.12 No.43
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