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13.4 Integration of ALD TaN Barriers in Porous Low-k Interconnect for the 45nm Node and Beyond; Solution to Relax Electron Scattering Effect
Besling, W. F. A., Arnal, V., Guillaumond, J. F., IEEE; 1998 2004 Technical digest Vol.2004 No.-
In-Situ Raman Spectroscopy During Laser-Induced Chemical Vapor Deposition of Silicon and Silicon Carbonitride Thin Films
Besling, W. F. A.,Goossens, A.,Schoonman, J. Electrochemical Society 1997 PROCEEDINGS- ELECTROCHEMICAL SOCIETY PV Vol.- No.25
In-situ Raman spectroscopy and laser-induced fluorescence during laser chemical vapor precipitation of silicon nanoparticles
Besling, W. F. A., Goossens, A., Schoonman, J. EDP Sciences 1999 The European Physical Journal. Special Topics Vol.9 No.8
Growth Behavior of ALD TaN Films on CVD SiOC Substrates
Besling, W. F. A., Michaelson, L. M., Harrison, M. Materials Research Society, 2004 ADVANCED METALLIZATION CONFERENCE IN Vol.- No.-
Characterisation of ALCVD Al2O3-ZrO2 nanolaminates, link between electrical and structural properties
Besling, W. F., Young, E., Conard, T., Zhao, C., C ELSEVIER SCIENCE 2002 Journal of non-crystalline solids Vol.303 No.1
Line resistance behaviour in narrow lines patterned by a TiN hard mask spacer for 45 nm node interconnects
Besling, W. F., Broekaart, M., Arnal, V., Torres, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.76 No.1-4
Laser-Induced Chemical Vapour Deposition of Silicon Carbonitride
Besling, W. F. A.,Van der Put, P. J. J. M.,Schoonm Les Editions de Physique 1995 CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION -EUROPEAN CONFERENCE- Vol.- No.10--2
Laser particle precipitation-aided chemical vapour deposition of nanosized silicon carbonitride powders
Besling, W. F. A. PERGAMON PRESS 1995 Journal of aerosol science Vol.26//SUP1 No.-
Besling, W. F. A., Arnal, V., Guillaumond, J. F., IEEE 2004 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING Vol.- No.-
Besling, W. F. A.,Van der Put, P. J. J. M.,Schoonm Pergamon 1995 Journal of aerosol science Vol.26//SUP1 No.-
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