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Effect of a Magnetic Field on the Starting Stress and Mobility of Individual Dislocations in Silicon
Badylevich, M. V., Iunin, Y. L., Kveder, V. V., Or AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2003 Journal of Experimental and Theoretical Physics Vol.97 No.3
Electronic structure of the interface of aluminum nitride with Si(100) (4 pages)
Badylevich, M., Shamuilia, S., Afanas ev, V.V., St AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2008 Journal of Applied Physics Vol.104 No.9
Influence of Magnetic Field on the Unlocking Stress for Dislocation Motion in Cz-Si Depending on Pre-Annealing Time
Badylevich, M., Kveder, V. V., Orlov, V. I., Osipy Uetikon-Zuerich; TTP 2005 Diffusion and defect data, solid state data. Solid Vol.108-109 No.-
Influence of Magnetic Field on Critical Stress and Mobility of Dislocations in Silicon
Badylevich, M. V., Iunin, Y. L., Kveder, V. V., Or Scitec Publications Ltd 2003 Diffusion and defect data, solid state data. Solid Vol.95-96 No.-
Investigation of the electronic structure at interfaces of crystalline and amorphous Gd~2O~3 thin layers with silicon substrates of different orientations (3 pages)
Badylevich, M., Shamuilia, S., Afanas ev, V. V., S AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2007 Applied Physics Letters Vol.90 No.25
Electronic structure at interfaces of cubic Gd2O3 with embedded Si nanocrystals
Badylevich, M., Shamuilia, S., Afanas'ev, V. V., S Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2008 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.85 No.12
Spin-resonant change of unlocking stress for dislocations in silicon
Badylevich, M. V., Kveder, V. V., Orlov, V. I., Os Wiley - VCH 2005 Physica Status Solidi C Vol.2 No.6
Nonmonotonic variations in the concentration of the donor-and acceptor-type radiation defects in silicon irradiated with low-intensity fluxes of β particles
Badylevich, M. V., Blokhin, I. V., Golovin, Y. I. Springer Science + Business Media 2006 Semiconductors Vol.40 No.12
Electronic structure of NiO layers grown on Al~2O~3 and SiO~2 using metallo-organic chemical vapour deposition (5 pages)
Chou, H.Y., Badylevich, M., Afanas ev, V.V., Houss AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2011 Journal of Applied Physics Vol.110 No.11
Band alignment and electron traps in Y~2O~3 layers on (100)Si (3 pages)
Wang, W.C., Badylevich, M., Afanas ev, V.V., Stesm AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2009 Applied Physics Letters Vol.95 No.13
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