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Sources of Information used in New Product and Process Technology Planning within the Electron Device Industry
Vojak, B. A.,Suarez, C. A. IEEE 2002 PROCEEDINGS- IEEE ENGINEERING MANAGEMENT SOCIETY Vol.2 No.-
TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY OF GAAS GROWN OVER SUBMICROMETER-PERIOD TUNGSTEN GRATINGS
B. A. Vojak, J. P. Salerno American Institute of Physics 1982 Applied Physics Letters Vol.41 No.12
PHOTOPUMPED LASER OPERATION OF GAAS DOPING SUPERLATTICES
B. A. Vojak, G. W. Zajac, F. A. Chambers, J. M. Me American Institute of Physics 1986 Applied Physics Letters Vol.48 No.3
Multistage, monolithic ceramic microdischarge device having an active length of similar to 0.27 mm
B. A. Vojak, S. J. Park, C. J. Wagner, J. G. Eden American Institute of Physics 2001 Applied Physics Letters Vol.78 No.10
Product Attribute Bullwhip in the Technology Planning Process and a Methodology to Reduce It
Vojak, B. A., Suarez-Nunez, C. A. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2004 IEEE transactions on engineering management Vol.51 No.3
LOW-TEMPERATURE OPERATION OF MULTIPLE QUANTUM-WELL ALXGA1-XAS-GAAS P-N HETEROSTRUCTURE LASERS GROWN BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
B. A. Vojak, S. W. Kirchoefer, N. Holonyak, R. Chi American Institute of Physics 1979 Journal of Applied Physics Vol.50 No.9
TUNNEL INJECTION AND PHONON-ASSISTED RECOMBINATION IN MULTIPLE QUANTUM-WELL ALXGA1-XAS-GAAS P-N HETEROSTRUCTURE LASERS GROWN BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION
B. A. Vojak, N. Holonyak, R. Chin, E. A. Rezek, R. American Institute of Physics 1979 Journal of Applied Physics Vol.50 No.9
HIGH-ENERGY (VISIBLE-RED) STIMULATED-EMISSION IN GAAS
B. A. Vojak, W. D. Laidig, N. Holonyak, M. D. Camr American Institute of Physics 1981 Journal of Applied Physics Vol.52 No.2
PHONON CONTRIBUTION TO METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITED ALXGA1-XAS-GAAS QUANTUM-WELL HETEROSTRUCTURE LASER OPERATION
B. A. Vojak, N. Holonyak, W. D. Laidig, K. Hess, J American Institute of Physics 1981 Journal of Applied Physics Vol.52 No.2
TRANSMISSION ELECTRON-MICROSCOPY OF GAAS PERMEABLE BASE TRANSISTOR STRUCTURES GROWN BY VAPOR-PHASE EPITAXY
B. A. Vojak, J. P. Salerno, D. C. Flanders, G. D. American Institute of Physics 1983 Journal of Applied Physics Vol.54 No.6
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