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The defect-centric perspective of device and circuit reliability—From gate oxide defects to circuits
Kaczer, B., Franco, J., Weckx, P., Roussel, Ph.J. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2016 Solid-State Electronics Vol.125 No.-
Disorder-controlled-kinetics model for negative bias temperature instability and its experimental verification
Kaczer, B., Arkhipov, V., Degraeve, R., Collaert, IEEE 2005 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS SYMPOSIUM P Vol.43 No.-
Extraction of the Random Component of Time-Dependent Variability Using Matched Pairs
Kaczer, B., Franco, J., Roussel, P. J., Groeseneke IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2015 IEEE electron device letters Vol.36 No.4
Kaczer, B., Arkhipov, V., Degraeve, R., Collaert, IEEE; 1999 2005 IEEE INTERNATIONAL RELIABILITY PHYSICS PROCEEDINGS Vol.43 No.-
Potential Vulnerability of Dynamic CMOS Logic to Soft Gate Oxide Breakdown
Kaczer, B., Groeseneken, G. Institute of Electrical and Electronics Engineers 2003 IEEE electron device letters Vol.24 No.12
Electrical and reliability characterization of metal-gate/HfO2
Kaczer, B., De Jaeger, B., Nicholas, G., Martens, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2007 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.84 No.9-10
Erratum
Kaczer, B.,Im, H. -J.,Pelz, J. P. American Institute of Physics 1999 Applied Physics Letters Vol.74 No.3
30.1 Implications of Progressive Wear-Out for Lifetime Extrapolation of Ultra-Thin (EOT∼nm) SiON Films
Kaczer, B., Degraeve, R., O Connor, R., Roussel, P IEEE 2004 INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING Vol.- No.-
Gate current random telegraph noise and single defect conduction
Kaczer, B., Toledano-Luque, M., Goes, W., Grasser, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.109 No.-
Electrical and reliability characterization of metal-gate/HfO2/Ge FET's with Si passivation
Kaczer, B., De Jaeger, B., Nicholas, G., Martens, Elsevier 2007 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.84 No.9-10
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