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Effect of interface state trap density on the characteristics of n-type, enhancement-mode, implant-free In0.3Ga0.7As MOSFETs
Ayubi-Moak, J., Benbakhti, B., Kalna, K., Paterson Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2009 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.86 No.7-9
Coupling Maxwells Equations to Full Band Particle-Based Simulators
Ayubi-Moak, J. S., Goodnick, S. M., Aboud, S. J., Kluwer Academic Publishers 2003 Journal of Computational Electronics Vol.2 No.2-4
Hot electron effects in ultra-short gate length InAs/InAlAs HEMTs
Ayubi-Moak, J. S., Akis, R., Saraniti, M., Ferry, Wiley-VCH 2008 Physica Status Solidi C Vol.5 No.1
Monte Carlo Simulations of In~0~.~7~5Ga~0~.~2~5As MOSFETs at 0.5 V Supply Voltage for High-Performance CMOS
Ayubi-Moak, J.S., Kalna, K., Asenov, A. WORLD SCIENTIFIC 2010 Selected Topics in Electronics and Systems Vol.51 No.-
Towards the global modeling of InGaAs-based pseudomorphic HEMTs
Ayubi-Moak, J. S., Akis, R., Ferry, D. K., Goodnic Springer Science + Business Media 2008 Journal of Computational Electronics Vol.7 No.3
Global Modeling of high frequency devices
Ayubi-Moak, J. S., Goodnick, S. M., Saraniti, M. Springer Science + Business Media 2006 Journal of Computational Electronics Vol.5 No.4
Simulation of Ultrasubmicrometer-Gate Formula Not Shown Pseudomorphic HEMTs Using a Full-Band Monte Carlo Simulator
Ayubi-Moak, J. S., Ferry, D. K., Goodnick, S. M., IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2007 IEEE transactions on electron devices Vol.54 No.9
Ayubi-Moak, J.S., Kalna, K., Asenov, A. WORLD SCIENTIFIC 2009 International journal of high speed electronics Vol.19 No.1
Full-band cellular Monte Carlo simulations of terahertz high electron mobility transistors
Akis, R., Ayubi-Moak, J.S., Ferry, D.K., Goodnick, IOP PUBLISHING LTD 2008 Journal of Physics, Condensed Matter Vol.20 No.38
The Upper Limit of the Cutoff Frequency in Ultrashort Gate-Length InGaAs/InAlAs HEMTs: A New Definition of Effective Gate Length
Akis, R., Ayubi-Moak, J.S., Faralli, N., Ferry, D. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2008 IEEE electron device letters Vol.29 No.4
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