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Aymerich, M. T., Garriga, M., Costa, S., Monfort, unknown 2002 International Dairy Journal Vol.12 No.2-3
Conduction mechanisms and charge storage in Si-nanocrystals metal-oxide-semiconductor memory devices studied with conducting atomic force microscopy (3 pages)
Porti, M., Avidano, M., Nafria, M., Aymerich, X., AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2005 Journal of Applied Physics Vol.98 No.5
Nanoscale electrical characterization of Si-nc based memory metal-oxide-semiconductor devices (9 pages)
Porti, M., Avidano, M., Nafria, M., Aymerich, X., AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2007 Journal of Applied Physics Vol.101 No.6
A nanoscale approach to the electrical properties of MOS memory devices with Si-nanocrystals
Porti, M., Avidano, M., Nafr????a, M., Aymerich, X Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2005 MICROELECTRONIC ENGINEERING Vol.80 No.-
Functionalty of enterococci in meat products
Hugas, M., Garriga, M., Aymerich, M. T. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 International journal of food microbiology Vol.88 No.2-3
Enhancement of sakacin K activity against Listeria monocytogenes in fermented sausages with pepper or manganese as ingredients
Hugas, M., Garriga, M., Pascual, M., Aymerich, M. ACADEMIC PRESS LTD 2002 FOOD MICROBIOLOGY Vol.19 No.5
Charge storage in Si nanocrystals embedded in SiO~2 with enhanced C-AFM [5838-08]
Porti, M., Avidano, M., Nafria, M., Aymerich, X., International Society for Optical Engineering; 1999 2005 Progress in Biomedical Optics and Imaging Vol.5838 No.-
Trapped charge and stress induced leakage current (SILC) in tunnel SiO2 layers of de-processed MOS non-volatile memory devices observed at the nanoscale
Lanza, M., Porti, M., Nafria, M., Aymerich, X., Gh Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2009 Microelectronics and reliability Vol.49 No.9-11
Combined Nanoscale and Device-Level Degradation Analysis of Formula Not Shown Layers of MOS Nonvolatile Memory Devices
Lanza, M., Porti, M., Nafria, M., Aymerich, X., Se IEEE 2009 IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABIL Vol.9 No.4
UHV CAFM characterization of high-k dielectrics: Effect of the technique resolution on the pre- and post-breakdown electrical measurements
Lanza, M., Porti, M., Nafria, M., Aymerich, X., Wh Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 Microelectronics and reliability Vol.50 No.9-11
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