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Computer simulation of electronic and magnetic properties of ternary chalcopyrites doped with transition metals [7377-04]
Krivosheeva, A.V., Shaposhnikov, V.L., Borisenko, International Society for Optical Engineering; 1999 2009 Progress in Biomedical Optics and Imaging Vol.7377 No.-
Magnetic properties of BeGeAs~2 doped with 3d-elements
Krivosheeva, A.V., Shaposhnikov, V.L., d Avitaya, Singapore; Hackensack, NJ; World Scientific 2009 PHYSICS CHEMISTRY AND APPLICATION OF NANOSTRUCTURE Vol.2009 No.-
Band gap modifications of twodimensional defected MoS2
Krivosheeva, A.V., Shaposhnikov, V.L., Borisenko, Inderscience Enterprises Ltd 2015 INTERNATIONAL JOURNAL OF NANOTECHNOLOGY Vol.12 No.8-9
Krivosheeva, A.V., Shaposhnikov, V.L., Borisenko, Bellingham, Wash.; SPIE 2009 Progress in Biomedical Optics and Imaging Vol.- No.7377
Band gap modifications of two-dimensional defected MoS2
A.V. Krivosheeva , V.L. Shaposhnikov , V.E. Borise Inderscience Publishers 2015 INTERNATIONAL JOURNAL OF NANOTECHNOLOGY Vol.12 No.8-9
Electronic and magnetic properties of Mn-doped BeSiAs~2 and BeGeAs~2 compounds
Krivosheeva, A.V., Shaposhnikov, V.L., D Avitaya, IOP PUBLISHING LTD 2009 Journal of Physics, Condensed Matter Vol.21 No.4
3CV.1.55 First-Principle Calculations of Band-Structures and Optical Properties of SnS, Cu2SnS3 and Cu2ZnSnS4 for Photovoltaics
Shaposhnikov, V.L., Krivosheeva, A.V., Borisenko, Munich; WIP-Renewable Energies 2012 EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE Vol.27 No.-
Ab initio modeling of the structural, electronic, and optical properties of A^I^IB^I^VC~2^V semiconductors (9 pages)
Shaposhnikov, V.L., Krivosheeva, A.V., Borisenko, AMERICAN PHYSICAL SOCIETY 2012 Physical Review B Vol.85 No.20
First-principles investigation of CO adsorption on Pt/Ge(001)-(4x2)
Krivosheeva, A. V., Sanna, S., Schmidt, W. G. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 Computational Materials Science Vol.49 No.4
Electronic Properties of WS~2/WSe~2 Heterostructure Containing Te Impurity: The Role of Substituting Position
Krivosheeva, A. V., Shaposhnikov, V. L., Borisenko WORLD SCIENTIFIC 2019 INTERNATIONAL JOURNAL OF NANOSCIENCE Vol.18 No.3-4
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