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Smith, R.A., Fleischman, A.J., Fissell, W.H., Zorm IOP PUBLISHING LTD 2011 Measurement science & technology Vol.22 No.4
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Smith, R.A., Fissell, W.H., Fleischman, A.J., Zorm Elsevier Science, B. V. Amsterdam 2012 Journal of Laboratory Automation Vol.17 No.2
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Breuer, A., Kandel, M., Fisseler-Eckhoff, A., Sutt S. Karger AG 2007 Oncology Research and Treatment Vol.30 No.6
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Laha, A., Bin, A., Babu, P., Fissel, A., Osten, H. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2011 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.220 No.3
Laha, A., Bin, A., Babu, P., Fissel, A., Osten, H. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2011 ECS Transactions Vol.41 No.3
Formation of Si twinning-superlattice: First step towards Si polytype growth
Fissel, A., Bugiel, E., Wang, C. R., Osten, H. J. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2006 Materials Science and Engineering B Vol.134 No.2-3
Mechanisms of Homo- and Heteroepitaxial Growth of SiC on �SiC(0001) by Solid-Source Molecular Beam Epitaxy
Fissel, A. MINERALS METALS & MATERIALS SOCIETY 1999 Journal of Electronic Materials Vol.28 No.3
Silicon in functional epitaxial oxides: A new group of nanostructures
Fissel, A., Laha, A., Bugiel, E., Kuhne, D., Czern Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2008 Microelectronics Journal Vol.39 No.3-4
Epitaxial growth of SiC thin films on Si-stabilized �SiC(0001) at low temperatures by solid-source molecular beam epitaxy
Fissel, A. ELSEVIER SCIENCE DIVISION 1995 Journal of crystal growth Vol.154 No.1-2
Towards controlled molecular beam epitaxial growth of artificially stacked Si: Study of boron adsorption and surface segregation on Si(111)
Fissel, A., Krü,gener, J., Osten, H. J. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2011 Journal of crystal growth Vol.323 No.1
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