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Mezrin, O. A., Feygenson, A., Hamm, R. A. Elsevier 1994 Journal of luminescence Vol.60-61 No.-
Ballistic Transport Effects in In/GainAs Heterostructure Bipolar Transistors
Feygenson, A. INSTITUTE OF ELECTRICAL & ELECTRONIC ENGINEERS, INC (IEEE) 1993 Technical digest Vol.- No.-
InGaAs/InP composite collector heterostructure bipolar transistors
A. Feygenson, D. Ritter, R.A. Hamm, P.R. Smith, R. [Institution of Electrical Engineers] 1992 Electronics Letters Vol.28 No.7
Effect of a temperature gradient on arsenic diffusion in silicon
A. Feygenson, J.N. Zemel Elsevier BV * North-Holland 1988 Thin Solid Films Vol.157 No.1
Rapid thermal annealing of arsenic-implanted silicon: A review
A. Feygenson, J.N. Zemel Elsevier BV * North-Holland 1988 Thin Solid Films Vol.165 No.1
Selfaligned InGaAs/InP heterostructure bipolar transistors
A. Feygenson, H. Temkin, W.T. Tsang, L. Yang, R.D. [Institution of Electrical Engineers] 1991 Electronics Letters Vol.27 No.13
Diffusion model for an inhomogeneous medium
A. Feygenson, J.N. Zemel Elsevier BV * North-Holland 1987 Thin Solid Films Vol.149 No.2
A comparison of batch and single wafer high dose arsenic ion implantation techniques
R.B. Irwin, A.J. Filo, V.C. Kannan, A. Feygenson, Elsevier BV 1989 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.40-41 No.1
Rapid thermal anneal of arsenic implanted into Si(100) and Si(111)
Ballistic Transport Effects in In/GaInAs Heterostructure Bipolar Transistors
Feygenson, A.,Mezrin, O. A.,Smith, P. R.,Hamm, R. IEEE 1993 Technical digest Vol.12 No.-
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