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Wurfl, J. Pergamon; 1999 1999 Microelectronics and reliability Vol.39 No.12
Device Breakdown and Dynamic effects in GaN Power Switching Devices: Dependencies on Material Properties and Device Design
Wurfl, J., Bahat-Treidel, E., Brunner, F., Cho, M. Red Hook, NY; Curran Associates Inc. 2013 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.222 No.1-7
6C - 3: Technology and perspectives of GaN devices for innovative microwave applications (invited)
Wurfl, J. Berlin; VDE-Verl 2008 ITG Fachberichte Vol.- No.206
Advances in GaN-Based Discrete Power Devices for L- and X-Band Applications
Wurfl, J., Behtash, R., Lossy, R., Liero, A., Hein London:; Horizon House Publications Ltd, 2006 European Microwave Conference Vol.36 No.-
Reliability of AlGaN/GaN HFETs comprising refractory ohmic and Schottky contacts
Wurfl, J.,Hilsenbeck, J.,Nebauer, E.,Trankle, G.,O Pergamon 2000 Microelectronics and reliability Vol.40 No.8-10
GaN-Based Microwave Power Devices: A Survey on the Activities in Europe (Invited)
Wurfl, J. Japan Society of Applied Physics 2003 Solid state devices and materials Vol.- No.-
Concepts towards Microsystems without External Power Supply
Wurfl, J. AMA Service 1999 SENSOR -CONFERENCE- Vol.9 No.2
Deep Learning Computed Tomography: Learning Projection-Domain Weights From Image Domain in Limited Angle Problems
Wurfl, T., Hoffmann, M., Christlein, V., Breininge IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2018 IEEE transactions on medical imaging Vol.37 No.6
Degradation properties of MOVPE-grown GaInP/GaAs HBTs under combined temperature and current stressing
Wurfl, J. Pergamon; 1999 2001 Microelectronics and reliability Vol.41 No.8
Wurfl, J. Pergamon; 1999 2000 Microelectronics and reliability Vol.40 No.8-10
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