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Wintrebert-Fouquet, M., Butcher, K. S. A. SLACK INCORPORATED 2002 Journal of Vacuum Science & Technology. A Vol.20 No.6
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Wintrebert-Fouquet, M.,Orsal, B. American Institute of Physics 2000 AIP Conference Proceedings Series Vol.511 No.-
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Wintrebert-Fouquet, M., Butcher, K. S., Chen, P. P John Wiley & Sons, Ltd 2007 Physica Status Solidi C Vol.4 No.7
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Wintrebert-Fouquet, M.,Skellern, D. J. IEEE 1998 CONFERENCE ON OPTOELECTRONIC AND MICROELECTRONIC M Vol.12 No.-
Piezoelectric coefficient of InN films prepared by radio-frequency sputtering
Wintrebert-Fouquet, M., Butcher, K. S., Guy, I. L. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2008 Thin Solid Films Vol.516 No.21
Comparisons of Gallium Nitride and Indium Nitride Properties After CF~4/Argon Reactive Ion Etching
Wintrebert-Fouquet, M., Butcher, K. S. A., Lam, S. Warrendale, Pa.; Materials Research Society; 1999 2003 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.743 No.14
InN grown by remote plasma-enhanced chemical vapor deposition
Wintrebert-Fouquet, M., Butcher, K. S., Chen, P. P Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 Journal of crystal growth Vol.269 No.1
Temperature investigation of dark current and its electrical noise in GaAs/AlGaAs multiquantum well photodiodes
M. Wintrebert-Fouquet, B. Orsal American Institute of Physics 1999 Journal of Applied Physics Vol.85 No.2
Revisiting electrochromism in InN
Scott, K., Butcher, A., Wintrebert-Fouquet, M., Ch Wiley - VCH 2005 Physica Status Solidi C Vol.2 No.7
A Study of Indium Nitride Films Grown Under Conditions Resulting in Apparent Band Gaps From 0.7 eV to 2.3 eV
Butcher, K. S. A., Wintrebert-Fouquet, M., Motlan Warrendale, Pa.; Materials Research Society; 1999 2003 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.743 No.14
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