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Vrbicky, A., Donoval, D., Marek, J., Chvala, A., B IEE Czech Centre 2006 INTERNATIONAL SEMINAR ON POWER SEMICONDUCTORS Vol.8 No.-
The Influence of Surfactants on Alpha Nickel Hydroxide
Vrbicky, J., Vondrak, J., Sedlarikova, M. Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2011 ECS Transactions Vol.32 No.1
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Jurman, J., Vrbicky, J. Balkema 1993 GEOMECHANICS -INTERNATIONAL CONFERENCE- Vol.9 No.-
Evaluation of the ruggedness of power DMOS transistor from electro-thermal simulation of UIS behaviour
Donoval, D., Vrbicky, A., Marek, J., Chvala, A., B Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2008 Solid-State Electronics Vol.52 No.6
Analysis of the Electro-Thermal Behavior of DMOS Transistor Structure During Multi-Pulse UIS Test
Marek, J., Donoval, D., Vrbicky, A., Beno, P., Chv New York; Curran 2008 INTERNATIONAL SEMINAR ON POWER SEMICONDUCTORS Vol.9 No.-
Effect of Ti and Fe Alloying on Kirkendall Voids Feature in Ni/Ni~3Al Welded Joints after the High Temperature Annealing
Losertova, M., Drapala, J., Vrbicky, J. SCI TECH PUBLICATIONS LTD 2011 Defect and Diffusion Forum Vol.312-315 No.2
Application of Open Circuit Voltage Decay to the Characterization of Epitaxial Layer
Tapajna, M., Pjencak, J., Vrbicky, A., Harmatha, L unknown 2004 JOURNAL OF ELECTRICAL ENGINEERING -BRATISLAVA- Vol.55 No.9-10
COMPUTER AIDED ANALYSIS OF THE PARASITIC PROPERTIES OF A BIPOLAR TRANSISTOR CELL
Donoval, D., Chvala, A., Vrbicky, A. Dordrecht, The Netherlands; London:; Kluwer Academic Publishers, 2004 PROCEEDINGS OF THE EUROPEAN WORKSHOP ON MICROELECT Vol.5 No.-
Determination of Interface Trap Density in Unipolar Structures Using Quasistatic C-V Method
Pisecny, P., Tapajna, M., Harmatha, L., Vrbicky, A SLOVAK ACADEMIC PRESS 2004 JOURNAL OF ELECTRICAL ENGINEERING -BRATISLAVA- Vol.55 No.3-4
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