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Adsorbate Induced Change of Equilibrium Surface during Crystal Growth: Si on Si(111)/H
Horn-Von Hoegen, M American Physical Society 1996 Physical Review Letters Vol.76 No.16
Lattice Matching Periodic Interfacial Dislocation Network in Surfactant-Mediated Growth of Ge on Si(111)
Horn-von Hoegen, M. ACADEMIC VERLAG GMBH 1994 Physica Status Solidi. A Vol.146 No.1
Lattice accommodation of low-index planes: Ag(111) on Si(001)
Horn-von Hoegen, M. AMERICAN PHYSICAL SOCIETY 1995 Physical Review B Vol.52 No.15
Formation of interfacial dislocation network in surfactant mediated growth of Ge on Si(111) investigated by SPA-LEED. Part I
Horn-von Hoegen, M. ELSEVIER 1993 Surface science Vol.298 No.1
Homoepitaxy of Si(111) is surface defect mediated
Horn-von Hoegen, M. ELSEVIER 1994 Surface science Vol.321 No.1-2
Ge on Si(001)--a hetero epitaxial playground for surface science
Horn-von Hoegen, M. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 Surface science Vol.537 No.1-3
Adsorption induced giant faceting of vicinal Si(001)
Horn-Von Hoegen, M., Meyer zu Heringdorf, F.-J., K Elsevier 1998 Thin Solid Films Vol.336 No.1-2
Macroscopic one-dimensional faceting of Si (100) upon Au adsorption
Horn-von Hoegen, M. ELSEVIER 1998 Surface science Vol.402-404 No.-
Epitaxial layer growth of Ag(111)-films on Si(100)
Horn-von Hoegen, M.,Schmidt, T.,Henzler, M.,Meyer, North-Holland 1994 Surface science Vol.331-333 No.--
Surfactants: Perfect heteroepitaxy of Ge on Si(111)
Horn-von Hoegen, M. SPRINGER 1994 Applied physics Solids and surfaces Vol.59 No.5
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