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Charge-carrier lifetime in Hg~1~-~xCd~xTe (x=0.22) structures grown by molecular-beam epitaxy
Voitsekhovskii, A. V American Institute of Physics 1997 Semiconductors Vol.31 No.7
The electrical characteristics of MBE n-Hg1–x Cd x Te (x = 0.29–0.31) MIS structures with sharp inhomogeneities in composition
Voitsekhovskii, A. V., Nesmelov, S. N., Dzyadukh, Springer Science + Business Media 2011 Russian Physics Journal Vol.54 No.3
A change in the electro-physical properties of narrow-band CdHgTe solid solutions acted upon by a volume discharge induced by an avalanche electron beam in the air at atmospheric pressure
Voitsekhovskii, A. V., Grigor’ev, D. V., Korotaev, Springer Science + Business Media 2012 Russian Physics Journal Vol.54 No.10
Capacitance-voltage characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe with various insulators
Voitsekhovskii, A. V., Nesmelov, S. N., Dzyadukh, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2012 Thin Solid Films Vol.522 No.-
The photoelectrical properties of MIS structures based on heteroepitaxial n-Hg1–xCdxTe (x = 0.21–0.23)
Voitsekhovskii, A. V., Nesmelov, S. N., Dzyadukh, Springer Science + Business Media 2013 Russian Physics Journal Vol.55 No.8
Analysis of the photoluminescence spectra of Cd x Hg1–x te heteroepitaxial structures with potential and quantum wells grown by molecularbeam epitaxy
Voitsekhovskii, A. V., Gorn, D. I., Izhnin, I. I. Springer Science + Business Media 2013 Russian Physics Journal Vol.55 No.8
The effect of boron implantation modes on the parameters of photodiodes produced in the Cd x Hg1-x Te heteroepitaxial structures
Voitsekhovskii, A. V., Nikitin, M. S., Talipov, N. Springer Science + Business Media 2013 Russian Physics Journal Vol.56 No.5
Low-Temperature Activation of Ion-Implanted Boron and Nitrogen Ions in Cd x Hg1–x Te Heteroepitaxial Layers
Voitsekhovskii, A. V., Talipov, N. K. Springer Science + Business Media 2013 Russian Physics Journal Vol.56 No.7
Photoelectrical characteristics of metal-insulator-semiconductor structures based on graded-gap HgCdTe grown by molecular-beam epitaxy
Voitsekhovskii, A. V., Nesmelov, S. N., Dzyadukh, Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2014 Thin Solid Films Vol.551 No.-
Differential Resistance of Space Charge Region in MIS Structures Based on Graded-Gap MBE n-Hg1–x Cd x Te (x = 0.23) in a Wide Temperature Range
Voitsekhovskii, A. V., Nesmelov, S. N., Dzyadukh, Springer Science + Business Media 2014 Russian Physics Journal Vol.57 No.4
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