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Comparative Study of GaN MOVPE Growth Processes Using Two Different "Surface Preparation-Carrier Gas" Combinations
Vennegues', P. MATERIALS RESEARCH SOCIETY 1998 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.512 No.-
Atomic structure of Mg-induced pyramidal inversion domains in bulk GaN
Vennegues, P., Leroux, M., Dalmasso, S., Benaissa, Institute of Physics Publishing 2003 CONFERENCE SERIES- INSTITUTE OF PHYSICS Vol.- No.180
Influence of high Mg doping on the microstructural and optoelectronic properties of GaN
Vennegues, P., Benaissa, M., Dalmasso, S., Leroux, ELSEVIER SCIENCE 2002 Materials Science and Engineering B Vol.93 No.1-3
Microstructural studies of GaN grown on (0001) sapphire by MOVPE
Vennegues, P. ELSEVIER 1997 Materials Science and Engineering B Vol.43 No.1-3
Strain relaxation in (Al,Ga)N/GaN heterostructures
Vennegues, P., Bethoux, J. M., Bougrioua, Z., Aziz Springer; 1999 2005 Springer Proceedings in Physics Vol.107 No.-
Vennegues, P., Bethoux, J. M., Bougrioua, Z., Aziz New York; Springer 2006 Springer Proceedings in Physics Vol.107 No.-
Microstructure of GaN epitaxial films at different stages of the growth process on sapphire (0 0 0 1)
Vennegues, P North-Holland Pub. Co 1997 Journal of crystal growth Vol.173 No.3
Characterization of structural defects in (11$ \bar 2 $0) GaN films grown on (1$ \bar 1 $02) sapphire substrates
Vennegues, P., Mathal, F., Bougrioua, Z. John Wiley & Sons, Ltd 2006 Physica Status Solidi C Vol.3 No.6
Study of the epitaxial relationships between III-nitrides and M-plane sapphire (6 pages)
Vennegues, P., Zhu, T., Martin, D., Grandjean, N. AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS 2010 Journal of Applied Physics Vol.108 No.11
Study of Open-Core Dislocations in GaN Films on (0001) Sapphire
Vennegues, P.,Beaumont, B.,Vaille, M. American Institute of Physics 1997 Applied Physics Letters Vol.70 No.18
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