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Interrelation of the construction of the metamorphic InAlAs/InGaAs nanoheterostructures with the InAs content in the active layer of 76–100% with their surface morphology and electrical properties
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Vasil’evskii, I. S., Pushkarev, S. S., Grekhov, M. Springer Science + Business Media 2016 Semiconductors Vol.50 No.4
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Vasil’evskii, S. A., Gordeev, A. N., Kolesnikov, A Springer Science + Business Media 2017 Fluid dynamics Vol.52 No.1
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Vasil'evskii, S. A. Springer Nature 2020 Fluid dynamics Vol.55 No.5
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Vasil’evskii, I. S., Vinichenko, A. N., Gre Springer Science + Business Media 2014 Semiconductors Vol.48 No.9
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Vasil'evskii, R. S. UNIVERSITY OF WISCONSIN PRESS 1998 Arctic anthropology Vol.35 No.1
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Vasil'evskii, S. A., Gordeev, A. N., Kolesnikov, A Springer Nature 2019 Fluid dynamics Vol.54 No.3
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Vasil’ev, A. L., Vasil’evskii, I. S., Galiev, G. B SPRINGER SCIENCE + BUSINESS MEDIA 2011 Crystallography reports Vol.56 No.2
Electrical behavior of modulation-and delta-doped Al x Ga1 − x As/In y Ga1 − y As
Galiev, G. B., Vasil’evskii, I. S., Klimov, E. A. Springer Science + Business Media 2006 RUSSIAN MICROELECTRONICS C/C OF MIKROELEKTRONIKA Vol.35 No.2
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