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Vasil’evskiĭ, I. S., Galiev, G. B., Mokerov, V. G. SPRINGER SCIENCE + BUSINESS MEDIA 2010 Crystallography reports Vol.55 No.1
Interrelation of the construction of the metamorphic InAlAs/InGaAs nanoheterostructures with the InAs content in the active layer of 76–100% with their surface morphology and electrical properties
Vasil’evskii, I. S., Galiev, G. B., Klimov, E. A. Springer Science + Business Media 2011 Semiconductors Vol.45 No.9
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Vasil’evskii, I. S., Pushkarev, S. S., Grekhov, M. Springer Science + Business Media 2016 Semiconductors Vol.50 No.4
Electron mobility and drift velocity in selectively doped InAlAs/InGaAs
Local modeling of the aerodynamic heating of the blunt body surface in subsonic high-enthalpy air flow. Theory and experiment on a high-frequency plasmatron
Vasil’evskii, S. A., Gordeev, A. N., Kolesnikov, A Springer Science + Business Media 2017 Fluid dynamics Vol.52 No.1
Electrical and structural properties of PHEMT heterostructures based on AlGaAs/InGaAs
Vasil’evskiĭ, I. S., Galiev, G. B., Klimov, E. A. Springer Science + Business Media 2008 Semiconductors Vol.42 No.9
Specific features of the photoluminescence of HEMT nanoheterostructures containing a composite InAlAs/InGaAs
Galiev, G. B., Vasil’evskii, I. S., Klimov, E. A. Springer Science + Business Media 2015 Semiconductors Vol.49 No.2
Photoluminescence of GaAs/AlGaAs quantum ring arrays
Sibirmovskii, Y. D., Vasil’evskii, I. S., Vinichen Springer Science + Business Media 2015 Semiconductors Vol.49 No.5
The Influence of the Annealing Regime on the Properties of Terahertz Antennas Based on Low-Temperature-Grown Gallium Arsenide
Nomoev, S. A., Vasil’evskii, I. S., Vinichenko, A. Springer Science + Business Media 2018 TECHNICAL PHYSICS LETTERS C/C OF PIS'MA V ZHURNAL Vol.44 No.1
Photoluminescence properties of modulation-doped In x Al1–x As/In y Ga1–y As
Galiev, G. B., Vasil’evskii, I. S., Klimov, E. A. Springer Science + Business Media 2015 Semiconductors Vol.49 No.9
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