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Physics-Based Hot-Carrier Degradation Modeling
Tyaginov, S., Starkov, I., Enichlmair, H., Park, J Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2011 Meeting Abstracts- Electrochemical Society Vol.219 No.2
Impact of O-Si-O bond angle fluctuations on the Si-O bond-breakage rate
Tyaginov, S., Sverdlov, V., Starkov, I., Gos, W., Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2009 Microelectronics and reliability Vol.49 No.9-11
Si-O Bond-breakage Energetics Under Consideration of the Whole Crystal
Tyaginov, S.E., Sverdlov, V., Gos, W., Schwaha, P. Red Hook; Curran 2009 ECS Transactions Vol.18 No.1
Impact of the Surrounding Network on the Si-O Bond-Breakage Energetics
Tyaginov, S.E., Sverdlov, V., Gos, W., Schwaha, P. Warrendale, Pa.; Materials Research Society; 1999 2009 Materials Research Society Symposium Proceedings Vol.1177 No.-
Interface traps density-of-states as a vital component for hot-carrier degradation modeling
Tyaginov, S. E., Starkov, I. A., Triebl, O., Cerve Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2010 Microelectronics and reliability Vol.50 No.9-11
Tyaginov, S.E., Starkov, I., Enichlmair, H., Park, Pennington, N.J.; Electrochemical Society 2011 ECS Transactions Vol.35 No.4
Impact of the Device Geometric Parameters on Hot-Carrier Degradation in FinFETs
Tyaginov, S. E., Makarov, A. A., Kaczer, B., Jech, Springer Nature 2018 Semiconductors Vol.52 No.13
An analytical approach for physical modeling of hot-carrier induced degradation
Tyaginov, S., Starkov, I., Enichlmair, H., Jungema Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2011 Microelectronics and reliability Vol.51 No.9-11
Impact of the Carrier Distribution Function on Hot-Carrier Degradation Modeling
Tyaginov, S., Starkov, I., Jungemann, C., Enichlma Piscataway; IEEE 2011 ESSDERC -CONFERENCE- Vol.2011 No.-
Guest Editorial IEEE International Integrated Reliability Workshop (IIRW) 2019
Tyaginov, Stanislav, Chbili, Zakariae IEEE 2020 IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABIL Vol.20 No.2
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