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Tolstogouzov, A. ROLSTON GORDAN COMMUNICATIONS 1997 MICROSCOPY AND ANALYSIS Vol.- No.58
Energy distributions of Ga+ and In+ secondary ions sputtered from AIIIBV compound semiconductors by noble gas ions: Mass-dependence of the high-energy yield on the second component (P, As, Sb) of the compounds
Tolstogouzov, A., Daolio, S., Pagura, C., Greenwoo Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.203 No.-
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Tolstogouzov, A. B.,Kitaeva, T. I.,Volkov, S. S. Springer-Verlag 1993 Mikrochimica acta Vol.114--115 No.-
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Tolstogouzov, A. Elsevier Science; 1999 2001 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.183 No.1-2
Tolstogouzov, A. B. SPRINGER VERLAG 1994 Mikrochimica acta Vol.114-115 No.COM
Study on imidazolium-based ionic liquids with scanning atom probe and Knudsen effusion mass spectrometry
Tolstogouzov, A., Bardi, U., Nishikawa, O., Tanigu John Wiley & Sons, Ltd 2008 Surface and interface analysis Vol.40 No.13
MARISS study on ion yields of Ne+ scattered from III-V compound semiconductors
Tolstogouzov, A., Daolio, S., Pagura, C. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2004 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research. Vol.217 No.2
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