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Chang, Ting-Chang, Chang, Kuan-Chang, Tsai, Tsung- Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2016 MATERIALS TODAY -OXFORD- Vol.19 No.5
A Method to Measure Polarization Signal of Nanoscale One-Transistor-One-Capacitor Ferroelectric Memory
Chang, Kai-Chun, Chen, Po-Hsun, Chang, Ting-Chang IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2022 IEEE electron device letters Vol.43 No.6
Analysis of increase in forward transconductance to determine the critical point of polarization at ferroelectric 1T1C memory
Chang, Kai-Chun, Chen, Po-Hsun, Chang, Ting-Chang American Institute of Physics 2021 Applied Physics Letters Vol.118 No.20
Thermal Impact on the Activation of Resistive Switch in Silicon Oxide Based RRAM
Yu-Ting Chen, Ting-Chang Chang, Jheng-Jie Huang, H ELECTROCHEMICAL SOCIETY INC 2012 ECS Solid State Letters Vol.1 No.4
Improvement of Hydrogenated Amorphous-Silicon TFT Performances With Low-
Chang, Ta-Shan, Chang, Ting-Chang, Liu, Po-Tsun, C IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2006 IEEE electron device letters Vol.27 No.11
Publisher's Note: The Effect of Silicon Oxide Based RRAM with Tin Doping [Electrochem. Solid-State Lett., 15, H65 (2012)]
Kuan-Chang Chang, Tsung-Ming Tsai, Ting-Chang Chan ELECTROCHEMICAL SOCIETY INC 2012 ECS Solid State Letters Vol.1 No.2
N2O plasma treatment suppressed temperature-dependent sub-threshold leakage current of amorphous indium–gallium–zinc-oxide thin film transistors
Chang, Geng-Wei, Chang, Ting-Chang, Jhu, Jhe-Ciou Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2013 Surface & Coatings Technology Vol.231 No.-
Analysis of abnormal threshold voltage shift induced by surface donor state in GaN HEMT on SiC substrate
Kuo, Ting-Tzu, Chen, Ying-Chung, Chang, Ting-Chang American Institute of Physics 2022 Applied Physics Letters Vol.120 No.23
Abnormal trend in hot carrier degradation with fin profile in short channel FinFET devices at 14 nm node
Kuo, Ting-Tzu,Chen, Ying-Chung,Chang, Ting-Chang,C Institute of Physics 2022 Semiconductor science and technology Vol.37 No.4
The effect of device electrode geometry on performance after hot-carrier stress in amorphous In-Ga-Zn-O thin film transistors with different via-contact structures
Liao, Po-Yung, Chang, Ting-Chang, Chen, Yu-Jia, Su American Institute of Physics 2017 Applied Physics Letters Vol.110 No.20
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